Název: Analýza bipolárních tranzistorů s izolovaným hradlem
Překlad názvu: Analysis of Trench Insulated Gate Bipolar Transistors
Autoři: Karlovský, Juraj ; Polčák, Josef (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2016
Jazyk: slo
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [slo] [eng]
Táto práca sa zaoberá výberom a optimalizáciou vhodných analytických metód pre charakte-rizáciu TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor, bipolárny tranzistor s izolovaným trench hradlom) štruktúr s použitím metód zobrazujúcich materiálové zloženie vzoriek. V teo-retickej časti sú popísané princípy použitých analytických metód a základné princípy činnosti študovaných TIGBT tranzistorov. Praktická časť sa zaoberá metodikou merania, následným spracovaním a vyhodnotením výsledkov meraní a návrhom optimálnych postupov meraní. This thesis is focused on the selection and optimalization of suitable analytical methods for study of TIGBT (Trench Insulated Gate Bipolar Transistor) structures with a use of methods, that depict material composition of the studied sample. The theoretical part contain explana-tions of the analytical methods used for measurements and basic principle of operation of an TIGBT transistor. The practical part contain the methodic of measurements and the evaluation of the obtained data and design of optimal procedures in done experiments.
Klíčová slova: base; collector; drain; EBIC (Electrone Beam Induced Current); emitter; gate; IGBT; oxide.; SEM (Scanning Electron Microscope); source; TIGBT; TOF- SIMS (Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy); trench

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/60610

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-254169


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce