Název: Zpětné zotavení ve výkonových integrovaných obvodech
Překlad názvu: Reverse recovery in power integrated circuits
Autoři: Šuľan, Dušan ; Žák, Jaromír (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2016
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [eng] [cze]

Klíčová slova: diode; LDMOS.; minority carrier lifetime; Reverse Recovery Time; TCAD; dioda; doba života minoritních nosičů; LDMOS.; Reverse Recovery Time; TCAD

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/59904

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-242128


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2016-06-03, naposledy upraven 2022-03-03.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet