Název: NOVÉ PRINCIPY CHARAKTERIZACE HRADLOVÝCH KAPACIT PRO SIGMA-DELTA MODULÁTORY
Překlad názvu: NEW PRINCIPLES OF GATE CAPACITANCE CHARACTERIZATION FOR SIGMA-DELTA MODULATORS
Autoři: Sutorý, Tomáš ; Ďuračková, Daniela (oponent) ; Husák, Miroslav (oponent) ; Kolka, Zdeněk (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2009
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
V předkládané disertační práci se autor zabývá využitím nových způsobů charakterizace hradlových kapacit použitelných pro realizaci sigma-delta modulátorů, jež jsou nedílnou součástí sigma-delta analogově digitálních převodníků. Navržená nová metoda charakterizace se vyznačuje vysokým rozlišením a nenáročností na vybavení měřicího pracoviště. Umožňuje rovněž charakterizaci v rozsahu kapacit používaných v sigma-delta modulátorech. Práce obsahuje jak popis vlastní metody, tak rozbor přesnosti měření a rovněž výsledky experimentů. This thesis deals with the utilization of new principles of characterization of gate capacitances for sigma-delta modulators. Sigma-delta modulators are the integral part of sigma-delta analog-to-digital converters. The proposed new method is characterized by high resolution and modest requirements for laboratory equipment. It allows characterizing capacitances whose values are within the range which is used in sigma-delta modulators. The thesis contains description of the new method, the analysis of measurement accuracy and experimental results.
Klíčová slova: CBCM metoda; charakterizace; linearizace; MOS kondenzátor; měření kapacity; napěťová závislost; nelineární kondenzátor; proudový mód; přesnost měření; Q-U charakteristika; Sigma-delta modulátor; spínané kondenzátory; spínané proudy.; stejnosměrné předpětí; sériová a paralelní kompenzace; technologie CMOS; testovací čip; výrobní masky; capacitance measurement; CBCM method; characterization; CMOS technology; current mode; DC bias; Delta-Sigma modulator; linearization; measurement accuracy; MOS capacitor; non-linear capacitor; productive masks; Q-V characteristic; serial and parallel compensation; switched capacitors; switched currents.; test-chip; voltage dependency

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/4404

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233499


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce