Název:
Počítačové modelování polovodičových diod
Překlad názvu:
Semiconductor diode modelling
Autoři:
Pacholík, Vladimír ; Wilfert, Otakar (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2010
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce se zabývá nejdůležitějšími jevy, které nastávají v polovodiči, popř. na polovodičovém přechodu. Obsahuje rovnice a vztahy, které jsou nezbytné pro modelování jednoduché polovodičové PN diody, Gunnovy diody a Schottkyho diody. Dále také obsahuje stručný postup toho, jak tyto vztahy prakticky použít a ve spolupráci s programy COMSOL Multiphysics a TiberCAD diody nasimulovat. Výsledkem modelování jsou pak data ve formě grafů, které poskytují základní představu o nosičích náboje v polovodiči, elektrickém potenciálu a voltampérové charakteristice.
This project is about phenomena, which proceed in semiconductor, eventually on semiconductor junction, including equations and relatives necessary for modeling simply semiconductor PN diode, Gunn diode and Schottky diode. Further including short way, how to use this equations and how simulate this diode in COMSOL Multiphysics and Tiber CAD software. Products of modeling are data in charts form. This charts giving basic idea about charge carriers, electrostatic potential and I-V characteristic.
Klíčová slova:
COMSOL; dioda; model diody; model driftu a difúze; polovodič; TiberCAD; COMSOL; diode; diode model; drift-diffusion scheme; semiconductor; TiberCAD
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/16160