Název:
Modelování vlastností mikroelektronických struktur
Překlad názvu:
Modelling of microelectronic structures properties
Autoři:
Luňáček, Erik ; Řezníček, Michal (oponent) ; Vaško, Cyril (vedoucí práce) Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok:
2009
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce se zabývá termomechanickou a elektrickou analýzou mikroelektronických struktur v programu ANSYS. Prvním krokem je vytvoření analyzovaného modelu. Pro zhotovení modelu byl využit program Solidworks. Následně byly analyzovány struktury se součástkami SOT23, SMD 1206, FlipChip a čip nakontaktovaný drátkem metodou ultrazvukového kontaktování. Analýzy probíhaly pro teploty 50, 100, 150 °C a různé materiály. Výstupy simulací jsou ve formě barevných obrázků s deformacemi objektů a vypočítanými hodnotami. Výsledky budou sloužit k výuce a budou prezentovány na internetu. K prezentaci slouží aplikace, ve které byla využita technologie Flash a jazyky ActionScript a XML.
This work is focused on thermomechanical and electric analyses of microelectronic structures in the ANSYS program. Firstly an analysed model was formed in the program Solidworks. Then structures with components SOT23, SMD 1206, FlipChip and chip with wire bonding interconnection were analyzed. The analyses were performed for the temperatures 50, 100, 150 °C and various materials. The simulations outputs are presented as pictures in colours with models deformations and calculated values. The results will be utilised in education and presented on the web. The Flash, ActionScript and XML technologies were used for application to present results of the research.
Klíčová slova:
ActionScript; ANSYS; Elektrická analýza; Flash; Metoda konečných prvků; Mikroelektrické srtuktury; Termomechanická analýza; ActionScript; ANSYS; Electrical analysis; Finite element method; Flash; Microelectronic structures; Thermomechanical analysis
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/35