Název: Chemická pasivace povrchu křemíkových desek pro solární články
Překlad názvu: Chemical passivation of surface for silicon solar cells
Autoři: Solčanský, Marek ; Hégr, Ondřej (oponent) ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2009
Jazyk: slo
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [slo] [eng]
Táto diplomová práca sa zaoberá skúmaním rôznych druhov roztokov pre chemickú pasiváciu kremíkového povrchu na testovacie účely kremíkových rezov s ich následným porovnaním. Hlavnou úlohou práce je nájsť optimálny roztok, ktorý vyhovuje požiadavkám časovej stability a rýchlosti nábehu pasivačných schopností roztoku, reprodukovatežnosti merania a možnosti dokonalého oplachu zbytkov pasivačného roztoku z kremíkového povrchu, aby po opätovnom vrátení kremíkovej dosky do výrobného procesu nedochádzalo k zhoršeniu vlastností meranej kremíkovej dosky a kontaminácii celej série vyrábaných solárnych článkov, pričom oplachovacia metóda po chemickej pasivácii je takisto predmetom skúmania. This master´s thesis deals with an examination of different solution types a for the chemical passivation of a silicon surface. Various solutions are tested on silicon wafers for their consequent comparison. The main purpose of this work is to find optimal solution, which suits the requirements of a time stability and start-up velocity of passivation, reproducibility of the measurements and a possibility of a perfect cleaning of a passivating solution remainig from a silicon surface, so that the parameters of a measured silicon wafer will not worsen and there will not be any contamination of the other wafers series in the production after a repetitive return of the measured wafer into the production process. The cleaning process itself is also a subject of a development.
Klíčová slova: chemical passivation; iodine passivation; measurement of minority carrier lifetime; method MW PCD (Microwave Photoconductivity Decay); passivation of a silicon surface; quinhydrone; simulation program PC1D

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/7365

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-217864


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce