Název:
Depozice cínem dopovaného oxidu inditého a výzkum jeho optických vlastností
Překlad názvu:
Deposition of Indium Tin Oxide and study of its optical properties
Autoři:
Olivíková, Gabriela ; Kvapil, Michal (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce) Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok:
2015
Jazyk:
cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze][eng]
Tato práce se zabývá přípravou a depozicí tenkých vrstev cínem dopovaného oxidu inditého (ITO) metodou iontového naprašování (IBS) s možností asistované depozice pomocí sekundárního iontového svazku (IBAD). V teoretické části je zpracována rešeršní studie zabývající se optickými a elektrickými vlastnostmi ITO, metodami používanými k jeho přípravě a aplikacemi.V experimentální části jsou zkoumány optické a transportní vlastnosti vrstev pomocí spektroskopických metod. Je ukázáno, že použití asistujícího svazku kyslíkových iontů o energii 80 eV vede ke zvýšení propustnosti deponovaných vrstev ve viditelné oblasti spektra a že IBAD je vhodnou metodou k modifikaci optických vlastností ITO.
This work is focused on preparation and deposition of thin layers of indium tin oxide (ITO) by ion beam sputtering (IBS) and ion beam assisted deposition (IBAD). In the theoretical part, the electrical and optical properties, preparation methods, and applications are reviewed. In the experimental part, the optical and transport properties of deposited films are investigated by spectroscopic methods. It is shown that simultaneous bombardment of the surface with oxygen ions with energy 80 eV results in increase of transmittance in the visible range of spectrum. IBAD thus confirmed as a suitable method for modification of optical properties.
Klíčová slova:
cínem dopovaný oxid inditý; iontové naprašování; iontové naprašování s asistujícím iontovým svazkem; spektroskopická elipsometrie; indium tin oxide; ion beam assisted deposition spectroscopic ellipsometry; ion beam sputteing
Instituce: Vysoké učení technické v Brně
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/41257