Original title: Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Translated title: Sequential growth of GaN nanocrystals on SiO2 substrate modified by FIB method
Authors: Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor)
Document type: Bachelor's theses
Year: 2013
Language: cze
Publisher: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstract: [cze] [eng]
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM). This bachelor's thesis deals with the selective growth of gallium (Ga) and gallium nitride (GaN). In theoretical part, there is a brief description of growth of ultrathin films with respect to GaN and their manufacturing. Experimental part is aimed to the deposition of Ga and GaN on silicon substrates Si(1 1 1). Substrates with the native silicon dioxide layer (SiO2) were modified by focused ion beam (FIB). GaN was deposited by pulsed deposition followed by postnitridation. Prepared samples were studied by atomic force microscope (AFM), X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and scanning electron microscope (SEM).
Keywords: effusion cell; FIB; Ga; GaN; ion-atomic source; postnitridation; pulse deposition; selective growth; XPS.; efúzní cela; FIB; Ga; GaN; iontově-atomární zdroj; postnitridace; sekvenční depozice; selektivní růst; XPS.

Institution: Brno University of Technology (web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library.
Original record: http://hdl.handle.net/11012/27965

Permalink: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-213731


The record appears in these collections:
Universities and colleges > Public universities > Brno University of Technology
Academic theses (ETDs) > Bachelor's theses