Název: IR Laser CVD OF Nanodisperse Ge-Si-Sn Alloys Obtained by Dielectric Breakdown of GeH4/SiH4/SnH4 Mixtures
Autoři: Křenek, Tomáš ; Bezdička, Petr ; Murafa, Nataliya ; Šubrt, Jan ; Pola, Josef
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON International Conference /6./, Brno (CZ), 2014-11-05 / 2014-11-07
Rok: 2015
Jazyk: eng
Abstrakt: Nowadays, great attention is devoted to Ge-Si-Sn ternary system, because Si1-x-yGexSny provides the potential of band gap engineering and tuning of the optical properties. IR laser irradiation of equimolar gaseous GeH4 + SiH4 + SnH4 + Ar mixture results in simultaneous decomposition of all three compounds and it allows deposition of nanostructured solid film. Analysis of the films by FTIR and Raman spectroscopy, X-ray diffraction analysis and electron microscopy revealed crystalline nanobodies of pure beta-Sn and crystalline nanoobjects of Ge1-x-ySixSny embedded in an amorphous metastable Ge-Si-Sn alloy. This process allows co-decomposition of all silicon, germanium and tin hydrides which is caused by combination of infrared multiple photon dissociation of absorbing silane and currently proceeding LIDB. This is followed by intermixing/clustering of extruded metal atoms in the gas phase.
Klíčová slova: Ge/Si/Sn nanoalloys; IR laser; thermal decomposition
Zdrojový dokument: NANOCON 2014, 6th International Conference, ISBN 978-80-87294-53-6

Instituce: Ústav chemických procesů AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0248982

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-200406


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav chemických procesů
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2015-09-25, naposledy upraven 2022-09-29.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet