|
|
Analýza vlivu chemicko-tepelného zpracování na změnu rozměrů
Kunkela, Ondřej ; Jaroš, Aleš (oponent) ; Kolář, Ladislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na chemicko-tepelné zpracování oceli, a to zejména na změnu rozměrů vzniklou během procesu. Za účelem bližšího prozkoumání problematiky byly vyrobeny vzorky z různých materiálů a o různých rozměrech. Vzorky byly následně změřeny před a po iontové nitridaci. Obdobně jako vzorky byly měřeny i skutečné kusy, z nichž některé byly iontově nitridované a některé cementované. Tyto skutečné kusy byly vyrobeny ze stejného materiálu, ale rozměrově a tvarem se od sebe lišily. Následně byla všechna data zpracována a vyhodnocena.
|
|
|
Chemicko-tepelné zpracování ocelí
Pišek, David ; Molliková, Eva (oponent) ; Němec, Karel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá metodami chemicko-tepelného zpracování ocelí. Obsahuje základní poznatky a způsoby provedení chemicko-tepelného zpracování s detailním zaměřením na cementaci a nitridaci ocelí. Zaměřuje se také na vlastnosti povrchových vrstev a jejich využití. Cílem práce je vypracování přehledu nejčastěji používaných metod chemicko-tepelného zpracování ocelí a následném zhodnocení výhod a nevýhod jednotlivých metod pro praktické aplikace v průmyslu.
|
|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
|
|
|
Vliv povlakování na lomové chování ledeburitické oceli
Šafář, Martin ; Jurči,, Peter (oponent) ; Hadraba, Hynek (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá nástrojovou ocelí Vanadis 6. Popisuje přípravu vzorků pro zkoušku tříbodovým ohybem, pomocí kterého je zkoumán vliv drsnosti povrchu, vliv nitridace, povlakování a duplexního povlakování na lomové chování ledeburitické oceli. Především je zkoumána pevnost v ohybu a celková energie potřebná do lomu. Součástí práce je i zmapování a měření drsnosti povrchu jednotlivých povlaků. Toto měření je prováděno na konfokálním mikroskopu.
|
|
|
Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7
Šťastný, Jakub ; Horák, Michal (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá studiem růstu 2D GaN nanokrystalů na substrát Si(111) 7x7. V teoretické části této práce jsou popsány vlastnosti 3D a 2D GaN, hlavní metody přípravy GaN i 2D GaN a využití GaN v průmyslu. Experimentální část se zabývá podrobným popisem metody nízkoteplotní kapkové epitaxe za asistence iontů, která byla využita pro provedení série depozic 2D GaN pod různými úhly dopadu iontového svazku na substrát Si(111) 7x7. Depozice byla provedena v komplexním UHV systému v laboratořích ÚFI VUT v Brně. Vytvořené nanokrystaly 2D GaN byly analyzovány pomocí SEM a AFM.
|
|
|
Analýza vlivu chemicko-tepelného zpracování na změnu rozměrů
Kunkela, Ondřej ; Jaroš, Aleš (oponent) ; Kolář, Ladislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce je zaměřena na chemicko-tepelné zpracování oceli, a to zejména na změnu rozměrů vzniklou během procesu. Za účelem bližšího prozkoumání problematiky byly vyrobeny vzorky z různých materiálů a o různých rozměrech. Vzorky byly následně změřeny před a po iontové nitridaci. Obdobně jako vzorky byly měřeny i skutečné kusy, z nichž některé byly iontově nitridované a některé cementované. Tyto skutečné kusy byly vyrobeny ze stejného materiálu, ale rozměrově a tvarem se od sebe lišily. Následně byla všechna data zpracována a vyhodnocena.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
|
|
|
Depozice Ga a GaN ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Dvořák, Martin ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových vrstev pro depozice ultratenkých vrstev gallia a jeho nitridu. Grafenové substráty jsou připravovány metodou chemické depozice z plynné fáze ve vysokoteplotním reaktoru postaveném na Ústavu Fyzikální inženýrství. Po přenosu grafenových vrstev na křemíkové substráty, byla provedena série chemických a tepelných čištění povrchu grafenu. Takto připravené vzorky jsou vhodné pro studium růst ultratenkých vrstev Ga a GaN. Růst Ga a GaN byl realizován v prostředí ultravysokého vakua metodami molekulární svazkové epitaxe pro depozici gallia, respektive pomocí iontového zdroje pro nitridaci. Výsledné ultratenké vrstvy byly studovány metodami rentgenové fotospektroskopie, mikroskopií atomárních sil a rastrovacím elektronovým mikroskopem.
|
|
|
Vliv povlakování na lomové chování ledeburitické oceli
Šafář, Martin ; Jurči,, Peter (oponent) ; Hadraba, Hynek (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá nástrojovou ocelí Vanadis 6. Popisuje přípravu vzorků pro zkoušku tříbodovým ohybem, pomocí kterého je zkoumán vliv drsnosti povrchu, vliv nitridace, povlakování a duplexního povlakování na lomové chování ledeburitické oceli. Především je zkoumána pevnost v ohybu a celková energie potřebná do lomu. Součástí práce je i zmapování a měření drsnosti povrchu jednotlivých povlaků. Toto měření je prováděno na konfokálním mikroskopu.
|
host ::
RSS.