|
|
Vývoj globálního trhu s mikročipy
Srba, Lukáš Martin ; Bolotov, Ilya (vedoucí práce) ; Čajka, Radek (oponent)
Tato práce se zabývá vývojem globálního trhu s mikročipy. Zaměřuje se na jeho vývoj a predikci budoucího stavu, včetně jeho příčin a následků. Analýza postupuje od obecné charakteristiky trhu, přes jeho subjekty, až po vztahy a specifika, která zde panují. Z tohoto je na závěr vytvořena prognóza. Na úvod jsou popsány výrobky, které tato práce bere v potaz (tedy CPU, GPU a APU), dále konkurenční prostředí, které zavádí metodiku analýzy (rozdělení na tři úrovně, na výrobce fotolitografických zařízení, výrobce a architekty čipů a na aftermarket a OEM firmy) a v neposlední řadě jsou definovány bariéry vstupu, které zde panují. Jsou vymezeny tři skupiny; ekonomické, technologické a geoekonomické, které jsou aplikovány na každou úroveň trhu. Tímto jsou splněny všechny předpoklady nutné k stanovení budoucího vývoje na trhu. V poslední části je tato prognóza provedena, a to ve dvou podobách; krátkodobá a dlouhodobá, jsou také zavedeny předpoklady a omezení této předpovědi. V závěru práce jsou vyvozeny poznatky a následky, které vyplývají z předchozích částí.
|
|
|
Měření veličin pro meteorologii
Škorpík, Daniel ; Harabiš, Vratislav (oponent) ; Chmelař, Milan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o základních meteorologických veličinách, zejména o proudění vzduchu a teplotě. Tyto veličiny jsou měřeny za pomocí anemometru, který využívá odporových senzorů, konkrétně se jedná o dva termistory typu NTC. Následně je popsána technologie, provoz, metody snímání a umístění čidla. Dále je navrženo blokové schéma a schéma obvodu. Měřidlo je realizováno, jsou popsány jednotlivé komponenty a je následně kalibrováno a testováno. Na závěr je zhodnoceno pro využití v lékařství.
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních tranzistorů
Repčík, Juraj ; Šteffan, Pavel (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cieľom bakalárskej práce je rozobrať teoretický základ merania bipolárnych tranzistorov. V prvom rade statické vlastnosti BJT, nastavenie jednosmerných napätí a prúdov v elektrickom obvode (pracovný bod). Ďalej rozoberá meranie vybraných dynamických vlastností zosilňovača s bipolárnym tranzistorom. Teoretické poznatky sú prezentované na praktickom zapojení a laboratórnom meraní týchto vlastností s pripojenými laboratórnymi meracími prístrojmi. Meranie je automatizované pomocou počítača s vývojovým prostredím LabVIEW. Sú vyvinuté užívateľské programy na zmeranie V-A charakteristík bipolárneho tranzistora a meranie dynamických vlastností zosilňovača. Práca poukazuje na výhodný spôsob vývoja programového vybavenia pre automatizovanie merania pomocou grafického programovania v LabVIEW.
|
|
|
Řízený napájecí zdroj 50V/5A
Herman, Tomáš ; Vorel, Pavel (oponent) ; Huták, Petr (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá návrhem regulovatelného zdroje stejnosměrného napětí. První část práce pojednává o typickém zapojení zdrojů a následně vlastnostech jednotlivých komponentů zdroje. Druhá část práce je o samotném návrhu řídících obvodů, výběr součástek, zapojení a návrhu plošného spoje.
|
|
|
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vitek, Vojtech ; Vorel, Pavel (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
|
|
|
Měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů
Lang, Radek ; Šotner, Roman (oponent) ; Dřínovský, Jiří (vedoucí práce)
Cílem této bakalářské práce je popis dynamických parametrů polovodičových součástek. Dalším cílem je sestavení měřícího pracoviště, na kterém je možné provádět měření dynamických vlastností bipolárních a unipolárních tranzistorů. Práce také řeší návrh a výrobu univerzálního přípravku, na kterém jsou měření prováděna. Samotné měření je automatizované a jednotlivé přístroje připojené na přípravek jsou řízeny a výsledky zpracovávány počítačem.
|
|
|
Budiče spínacích výkonových tranzistorů GaN MOSFET
Fiala, Zbyněk ; Pazdera, Ivo (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Práce popisuje postup při návrhu budicích obvodů pro GaN MOSFET tranzistory, které jsou známé především díky schopnosti rychlého spínání. V úvodu práce je nejprve rozebrána a popsána problematika GaN MOSFET tranzistorů a rovněž práce srovnává různé typy MOSFET tranzistorů z hlediska jejich elektrických i mechanických vlastností. Dále je zvolen konkrétní typ budicího obvodu, který byl vybrán v semestrální práci. K ověření činnosti tohoto budicího obvodu byl navržen spínaný zdroj s výstupním výkonem 600W a velikou pracovní frekvencí 800kHz jako pokusný měřící obvod, který byl po zkonstruování oživen, a bylo na něm provedeno kontrolní měření. Zachycené průběhy pomocí osciloskopu jsou následně okomentovány. Závěrem práce je zhodnocení nabytých poznatků o této nové technologii výkonových spínacích tranzistorů.
|
|
|
Audiovizuální zpracování zákonů teorie obvodů
Molík, Petr ; Kaluža, Vlastimil (oponent) ; Kunovský, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá moderním způsobem výkladu a prezentace zákonů teorie obvodů. Názorně ilustruje a na praktických ukázkách a pokusech demonstruje teorii, která je probírána v rámci předmětu Teorie obvodů bakalářského studijního programu Informační technologie Vysokého učení technického v Brně. Práce obsahuje krátký úvod do problematiky názornosti výuky, představení hlavních zpracovaných témat včetně popisu připraveného informačního systému, který zastřešuje celý projekt. Závěr hodnotí přínos a praktické využití zpracovaných témat, včetně referencí studentů, kteří již v praxi tento projekt využili.
|
|
|
Konstrukce audio výkonového zesilovače spínané koncepce
Macek, Libor ; Petržela, Jiří (oponent) ; Brančík, Lubomír (vedoucí práce)
Tato práce je rozdělena do čtyř částí. První část se zabývá popisem a vysvětlením obecných principů zesilovačů spínaných koncepcí. V druhé částí práce je praktický návrh zesilovače ve třídě D, popis jednotlivých bloků a výpočty. Součástí návrhu jsou také simulace částí zesilovače v programu PSpice a Filter Free. Ve třetí části práce je rozebrán návrh napájecí jednotky. Poslední část práce je zaměřena na zpracované výsledky měření na prototypu zařízení.
|
|
|
Design of Digital Circuits at Transistor Level
Kešner, Filip ; Šimek, Václav (oponent) ; Vašíček, Zdeněk (vedoucí práce)
Práce se zaměřuje na návrh obvodů na úrovni tranzistorů, především za použití evoluční metody návrhu. Za tímto účelem je nutné volit rozumnou míru abstrakce a tak dosáhnout vyšší rychlosti ohodnocování kandidátních řešení pomocí fitness funkce. Práce probírá již vyzkoušené postupy návrhu obvodů na tranzistorové úrovni a z nich vybírá užitečné prvky pro vytvoření výkonějšího systému, který by byl schopen navrhovat komplexní logické obvody. Dále se práce zabývá implementací tohoto systému a probírá použitý přístup k řešení problémů návrhu a optimilizace tranzistorových obvodů použitím evoluce.
|
host ::
RSS.