|
|
Studium vlastností tištěných tenkých vrstev grafenu
Zdražil, Lukáš ; Pospíšil, Jan (oponent) ; Zmeškal, Oldřich (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na studium tenkých vrstev grafénu, které mohou být využity jako součásti fotovoltaických článků. Tenké vrstvy jsou připravovány materiálovým tiskem a následně charakterizovány pomocí optické mikroskopie a UV-VIS. Na připravených vzorcích byly proměřeny volt-ampérové charakteristiky a impedanční spektra a interpretovány jejich výsledky.
|
|
| |
|
|
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
|
|
|
Tvorba nanostruktur a nanosoučástek pro oblast nanoelektroniky a spintroniky
Lišková, Zuzana ; Červenka, Jiří (oponent) ; Čech, Vladimír (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Práce pojednává o vytváření grafenových nanostruktur a jejich aplikacích při měření transportních vlastností grafenu. Na vyrobených exfoliovaných šupinkách grafenu, CVD grafenových vrstvách a zrnech jsou vytvářeny kontakty litografií elektronovým svazkem pro měření jejich odporu. Grafen je rovněž stejnou metodou tvarován. Rezistivita vrstvy, koncentrace a pohyblivost nosičů náboje jsou stanoveny pomocí různých přístupů. Diskutována je také hystereze objevující se v závislosti rezistivity na hradlovém napětí. Významná část práce je věnována sledování odezvy odporu grafenu na změnu relativní vlhkosti prostředí a případnému využití grafenu jako senzoru relativní vlhkosti.
|
|
|
Grafenový fotodetektor využívající plazmonických efektů
Horáček, Matěj ; Hájková,, Zdenka (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá vývojem nového hybridního zařízení pro fotodetekci, jehož princip se opírá o dvě velmi významné a aktuální oblasti současného vědeckého výzkumu – grafen a plazmonika. Vlastní odezva grafenu na dopadající světelné záření je v tomto zařízení značně zvýšena umístěním zlatých nanotyčinek na povrch grafenu, vykazujících jedinečnou optickou odezvu danou lokalizovanými povrchovými plazmony. Tato zvýšená fotoelektrická reakce je způsobena redistribucí energie oscilujících elektronů v nanočástici do grafenové vrstvy. Konkrétní mechanismus redistribuce energie je studován pomocí rozptylové spektroskopie jednotlivých částic, kde je zkoumán vliv počtu grafenových vrstev pod nanočásticí na rozšíření rezonančního píku. Mimořádně velké rozšíření rezonančního píku pro částice položené na grafen naznačuje přítomnost nebývalého procesu tlumení plazmonické rezonance. Toto neobvyklé tlumení je připsáno přenosu horkých elektronů ze zlaté nanotyčinky do grafenové vrstvy.
|
|
| |
|
|
Aplikace grafénové membrány v nanoelektronických zařízeních
Kormoš, Lukáš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Táto diplomová práca je zameraná na aplikácie a výrobu grafénovej membrány z grafénu vyrobeného pomocov chemickej depozície z plynnej fáze. Teoretická časť sa zaoberá transportnými vlastnosťami grafénu a viacerými rozptylovými procesmi, ktoré obmedzujú pohyblivosť nosičov náboja v tomto materiáli. Súčasťou teoretickej časti je krátka recenzia aplikácií grafénových membrán. Experimentálna časť prezentuje výrobný proces pre dosiahnutie zaveseného grafenového zariadenia s využitím elektrónové litografie, fokusovaného zväzku iónov, chemického leptania a tvarovanie grafenovej vrstvy. Grafénová membrána je charakterizovaná meraním transportných vlastností a tieto sú následne porovnané s grafénom položeným na substráte.
|
|
| |
|
|
The preparation and characterisation of electrical properties of graphene CVD monocrystals
Hulva, Jan ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Chemical Vapor Deposition (CVD) of graphene is the method of graphene synthesis capable of producing predominantly single layer graphene of large area. Part of the experimental work of this thesis is focused on the deposition and analysis of single-crystalline graphene domains grown by CVD on a copper foil. These domains are analyzed by the optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy and Raman spectroscopy. The next part of the work was devoted to iden- tification of defects present on the Cu foil after the deposition of graphene by means of energy dispersive X-ray spectroscopy. The amount of the defects was reduced by the adjustment of the deposition system although not all types of the defects were completely removed. Electronic transport properties of deposited graphene layers were performed in the last part. The results contain measurement of graphene in vacuum with applied back gate voltage and low temperature measurement with applied magnetic field.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na křemíkový a grafenový substrát
Mareš, Petr ; Hospodková,, Alice (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem vlastností Ga a GaN nanostruktur na grafenu. Teoretická část této práce popisuje základní vlastnosti grafenu a GaN a problematiku jejich výroby s důrazem na důležitost Ga a GaN pro grafen. Experimentální část této práce se zabývá depozicemi Ga na grafen, který je připravený metodou CVD a přenesen na SiO2. Tyto vzorky jsou studovány pomocí různých metod (XPS, AFM, SEM, Ramanova spektroskopie, EDX). Vlastnosti Ga na povrchu grafenu jsou diskutovány, zejména z hlediska povrchově zesíleného ramanova jevu (SERS). Následně jsou provedeny depozice Ga na exfoliovaný grafen a na grafen na měděné folii. GaN je připraven pomocí nitridace galliových struktur na grafenu. Tento děj je podrobně studován analýzou XPS měření výrazného Ga píku a valenčního pásu grafenu v průběho tohoto děje.
|
host ::
RSS.