Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 223 záznamů.  začátekpředchozí195 - 204dalšíkonec  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
Expandovaný grafit jako záporný elektrodový materiál pro aprotické interkalační systémy
Kaňa, Michal ; Čech, Ondřej (oponent) ; Libich, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá problematikou lithium-iontových akumulátorů. Zaměřuje se především na materiály, které jsou základem záporných elektrodových hmot, zvláště pak na přírodní expandovaný grafit. Cílem této práce je nastínit problematiku lithium iontových akumulátorů, společně s možnostmi zlepšení jejich základních parametrů. jako kapacita a proudová zatížitelnost. První část se zaměřuje na popis funkčnosti lithium-iontových akumulátorů. Druhá, praktická část se zaměřuje na výrobu záporných elektrod ze vzorků přírodního expandovaného grafitu, měřením jejich vlastností a charakteristik. V poslední části jsou zhodnoceny a porovnány na základě získaných dat, jednotlivých záporných elektrod v roli hostitele lithných a sodných iontů, a vyvození závěrů.
Studium vlastností tištěných tenkých vrstev grafenu
Zdražil, Lukáš ; Pospíšil, Jan (oponent) ; Zmeškal, Oldřich (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na studium tenkých vrstev grafénu, které mohou být využity jako součásti fotovoltaických článků. Tenké vrstvy jsou připravovány materiálovým tiskem a následně charakterizovány pomocí optické mikroskopie a UV-VIS. Na připravených vzorcích byly proměřeny volt-ampérové charakteristiky a impedanční spektra a interpretovány jejich výsledky.
Analýza grafenových vrstev připravených metodou CVD pomocí rozptylu nízkoenergiových iontů
Bábík, Pavel ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Průša, Stanislav (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na analýzu vzorků grafenu rozptylem nízkoenergiových iontů (LEIS). Výroba grafenových vrstev byla prováděna metodou chemické depozice z plynné fáze (CVD) na Ústavu fyzikálního inženýrství. Analýza vzorků probíhala ve Středoevropském technologickém institutu (CEITEC) na přístroji Qtac 100. Cílem této bakalářské práce byla optimalizace technologie výroby za účelem snížení kontaminací obsažených v grafenové vrstvě.
Analýza nanostruktur metodou ToF-LEIS
Duda, Radek ; Král, Jaroslav (oponent) ; Mašek, Karel (oponent) ; Dub, Petr (vedoucí práce)
Předložená práce pojednává o využití analytické metody TOF-LEIS v oblasti výzkumu nanostruktur. Touto metodou byl stanoven nový postup pro hloubkové profilování prvkového složení vzorku, který je založen na střídavém měření spolu s metodou DSIMS. Metoda TOF-LEIS je schopna detekovat rozhraní vrstev ještě před jeho rozmixováním odprašujícím svazkem iontů metody DSIMS. Dále byl stanoven postup úpravy výsledných ToF-LEIS spekter tak, abychom obdrželi skutečnou koncentraci prvků ve vzorku eliminací příspěvku mnohoobných kolizí projektilů. Porovnáním TOF LEIS spekter s výsledky měření metody DSIMS byl obdržen poměr výtěžku iontů molybdenu a křemíku. V další části práce jsou ukázány výhody metody TOF-LEIS v kombinaci s metodou XPS během analýzy teplotní stability zlatých nanočástic. Je ukázána komplementárnost obou metod a jejich závěry podloženy snímky elektronového mikroskopu. Závěrečná část je věnována popisu nově sestavené aparatury pro analytickou metodu TOF-SARS a představení jejich možností především ohledně detekce vodíku na grafenu.
Tvorba nanostruktur a nanosoučástek pro oblast nanoelektroniky a spintroniky
Lišková, Zuzana ; Červenka, Jiří (oponent) ; Čech, Vladimír (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Práce pojednává o vytváření grafenových nanostruktur a jejich aplikacích při měření transportních vlastností grafenu. Na vyrobených exfoliovaných šupinkách grafenu, CVD grafenových vrstvách a zrnech jsou vytvářeny kontakty litografií elektronovým svazkem pro měření jejich odporu. Grafen je rovněž stejnou metodou tvarován. Rezistivita vrstvy, koncentrace a pohyblivost nosičů náboje jsou stanoveny pomocí různých přístupů. Diskutována je také hystereze objevující se v závislosti rezistivity na hradlovém napětí. Významná část práce je věnována sledování odezvy odporu grafenu na změnu relativní vlhkosti prostředí a případnému využití grafenu jako senzoru relativní vlhkosti.
Grafenový fotodetektor využívající plazmonických efektů
Horáček, Matěj ; Hájková,, Zdenka (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá vývojem nového hybridního zařízení pro fotodetekci, jehož princip se opírá o dvě velmi významné a aktuální oblasti současného vědeckého výzkumu – grafen a plazmonika. Vlastní odezva grafenu na dopadající světelné záření je v tomto zařízení značně zvýšena umístěním zlatých nanotyčinek na povrch grafenu, vykazujících jedinečnou optickou odezvu danou lokalizovanými povrchovými plazmony. Tato zvýšená fotoelektrická reakce je způsobena redistribucí energie oscilujících elektronů v nanočástici do grafenové vrstvy. Konkrétní mechanismus redistribuce energie je studován pomocí rozptylové spektroskopie jednotlivých částic, kde je zkoumán vliv počtu grafenových vrstev pod nanočásticí na rozšíření rezonančního píku. Mimořádně velké rozšíření rezonančního píku pro částice položené na grafen naznačuje přítomnost nebývalého procesu tlumení plazmonické rezonance. Toto neobvyklé tlumení je připsáno přenosu horkých elektronů ze zlaté nanotyčinky do grafenové vrstvy.
Příprava grafenových vrstev pokrytých Ga atomy a charakterizace jejich elektrických vlastností
Piastek, Jakub ; Kromka, Alexander (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá studiem charakterizace elektrických vlastností grafenových vrstev pokrytých Ga atomy. Substráty s elektrickými kontakty byly připraveny laserovou litografií a grafenová vrstva byla připravena pomocí metody chemické depozice z plynné fáze (CVD). Experimentálně byla zkoumán posuv Diracova bodu v závislosti na době depozice atomů galia na povrch grafenu. Byl také zkoumán vliv depozice atomárního vodíku na povrch grafenu. Výsledky měření a jejich zhodnocení jsou diskutovány v této práci.
Aplikace grafénové membrány v nanoelektronických zařízeních
Kormoš, Lukáš ; Drbohlavová, Jana (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Táto diplomová práca je zameraná na aplikácie a výrobu grafénovej membrány z grafénu vyrobeného pomocov chemickej depozície z plynnej fáze. Teoretická časť sa zaoberá transportnými vlastnosťami grafénu a viacerými rozptylovými procesmi, ktoré obmedzujú pohyblivosť nosičov náboja v tomto materiáli. Súčasťou teoretickej časti je krátka recenzia aplikácií grafénových membrán. Experimentálna časť prezentuje výrobný proces pre dosiahnutie zaveseného grafenového zariadenia s využitím elektrónové litografie, fokusovaného zväzku iónov, chemického leptania a tvarovanie grafenovej vrstvy. Grafénová membrána je charakterizovaná meraním transportných vlastností a tieto sú následne porovnané s grafénom položeným na substráte.
Výpočty interakce systému grafen/SiO2 s adsorbovanými atomy a molekulami pomocí DFT metod
Nezval, David ; Friák, Martin (oponent) ; Bartošík, Miroslav (vedoucí práce)
Tato diplomová práce studuje změny elektrických vlastností grafenu vlivem substrátu SiO2, adsorbovaných molekul vody a atomů gallia. Jsou zde testovány různé geometrické konfigurace těchto systémů a následně počítána pásová spektra pro odvození změn elektronových vlastností: zejména dopování a otevírání pásu zakázaných energií grafenové vrstvy.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 223 záznamů.   začátekpředchozí195 - 204dalšíkonec  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.