Název: Graphite Schottky barriers on n-InP and n-GaN with deposited Pd, Pt or bimetallic Pd/Pt nanoparticles for H2 sensing
Autoři: Žďánský, Karel ; Muller, M. ; Černohorský, Ondřej ; Yatskiv, Roman
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2011, 3 rd International Conference, Brno (CZ), 2011-09-21 / 2011-09-23
Rok: 2011
Jazyk: eng
Abstrakt: High Schottky barriers have been achieved by applying colloidal graphite on n-type InP and on n-type GaN semiconductor crystal wafers. The barrier heights were shown to be close to Schottky-Mott limit ad thermionic emission theory. Porous properties of the graphite Schottky contacts were demonstrated by scanning electron microscopy.
Klíčová slova: nanostructures; semiconductor devices; sensors
Číslo projektu: CEZ:AV0Z20670512 (CEP)
Zdrojový dokument: NANOCON 2011, Conference Proceedings, 3 rd International Conference, ISBN 978-80-87294-27-7

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0216248

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-96328


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference