Název: Výroba SiC optických metapovrchů
Překlad názvu: Fabrication of SiC optical metasurfaces
Autoři: Štálnik, Jozef ; Idesová, Beáta (oponent) ; Dvořák, Petr (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2024
Jazyk: slo
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [slo] [eng]
Cieľom tejto bakalárske práce bolo optimalizovať výrobný proces SiC metapovrchov, ktoré sa prejavili ako revolučná náhrada klasických optických prvkov, kvôli ich vlastnosti ovládať dopadajúce svetlo vďaka lokálnej fázovej zmene. Ďalej pojednáva o využití karbidu kremíku v ako paltformy pre tieto fotonické zariadenia a experimentálne techniky využité v samotnom procese tvorby metapovrchu. V experimentálne časti sa prezentujú výsledky výroby silikon karbidových nanoštruktúr, kedy hlavným krokom optimalizácie bolo suché leptanie plazmou. Nakonci sa prezentovali optické merania fázového profilu výsledných metapovrchov pomocou mimoosej digitálnej holografie. Hlavným výsledkom tejto práce je vytvorenie knižnice individuálnych stavebných blokov, ktoré budú dôležité budúcej aplikácií. The aim of this bachelor's thesis was to optimize the manufacturing process of SiC meta-surfaces, which have emerged as a revolutionary replacement for classical optical elements due to their ability to control incident light through local phase modulation. Furthermore, it discusses the utilization of silicon carbide as a platform for these photonic devices and the experimental techniques employed in the meta-surface fabrication process. The experimental section presents the results of silicon carbide nanostructure fabrication, with dry plasma etching being the key optimization step. Finally, optical measurements of the phase profile of the resulting meta-surfaces are presented using off-axis digital holography. The main outcome of this work is the creation of a library of individual building blocks crucial for future applications.
Klíčová slova: all-dielectric metasurface; electron-beam lithography; fabrication; optical metasurface; reactive ion etching; silicon carbide

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: https://hdl.handle.net/11012/248250

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-617382


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce