Název: Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Překlad názvu: Development of Atomic- and Ion Beam Sources
Autoři: Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2009
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu ( The objective of this master thesis was to provide the optimization of an ion-atom beam source for the improvement of its properties. The improvement of the parameters increases the efficiency of the source during the deposition of gallium nitride ultrathin films (GaN) being important in microeletronics and optoelectronics. After optimization, the depositions of GaN ultrathin films on Si(111) 7x7 at lower temperatures (
Klíčová slova: AFM; atomární zdroj; gallium nitrid; GaN; Iontový zdroj; iontově-atomární svazek; iontově-atomární zdroj svazků; XPS; AFM; atom source; gallium nitride; GaN; Ion source; ion-atom beam; ion-atom beam source; XPS

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/10760

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-596560


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce