Název: Universal Power Sequencer For Rf Power Amplifiers
Autoři: Waldecker, Miroslav
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: More often used Galium Nitride (GaN) based Radio-Frequency high power transistors in the various RF PA configurations e.g. Doherty is by their nature easily destroyed, great care must be taken, when powering-up and shutting down this circuits. That means, proper power biasing and sequencing is necessary. The Doherty type RF PA with RF drivers four different gate, drain voltages and time when the individual voltages are turned on or off must be controled. Universal power sequencer and biasing device, which meets this requirements is described in this article.
Klíčová slova: Biasing; GaN; Power Sequencing; RF PA
Zdrojový dokument: Proceedings II of the 26st Conference STUDENT EEICT 2020: Selected papers, ISBN 978-80-214-5868-0

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/200637

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-447689


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
 Záznam vytvořen dne 2021-07-25, naposledy upraven 2021-08-22.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet