Název: Tantalum Capacitor As A Mis Structure: Transport Characteristics Temperature Dependencies
Autoři: Kuparowitz, Martin ; Kuparowitz, Tomáš
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: Temperature dependencies of a leakage current in normal mode are explained on the basis of a model, in which the solid state tantalum capacitor is considered as a metal-insulatorsemiconductor (MIS) heterostructure. The measurement was performed in temperature range from 105 to 155°C. Ohmic conductivity increases exponentially with increasing temperature with activation energy 0.94 eV. Tunneling voltage parameter and tunneling energy barrier decreases with increasing temperature, reaching values 0.45 to 0.26 eV.
Klíčová slova: activation energy; I-V characteristics; MIS structure; tantalum capacitor; tunneling energy barrier
Zdrojový dokument: Proceedings of the 23st Conference STUDENT EEICT 2017, ISBN 978-80-214-5496-5

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/187182

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-414842


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference