Název: Integrated Temperature Sensor Bipolar Core
Autoři: Fránek, Jakub
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: Analog front-end of a bipolar transistor based smart temperature sensor was designed in 110 nm CMOS processing technology TSMC 110 and verified using simulation taking PVT variation into account. The analog front-end of the sensor achieves 3s inaccuracy of +-3.5 °C untrimmed or +-0.7 °C after single point trim over the military temperature range (-55 °C to 125 °C), requiring supply voltage of 2.7-3.63 V, consuming as little as 1μW at 1 S/s and taking up less than 0:012mm2.
Klíčová slova: analog; bipolar; CMOS; integrated circuit; IP core; smart temperature sensor
Zdrojový dokument: Proceedings of the 24th Conference STUDENT EEICT 2018, ISBN 978-80-214-5614-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/138173

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-393359


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference