Název: Impact of the SiNx Thickness on Passivation Quality and Contact Resistivity of Silicon Solar Cell
Autoři: Mojrová, Barbora
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: eng
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: In this work the influence of thickness of Silicon Nitride (SiNX) layer deposited by Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) on passivation quality and contact resistivity (ρC) of n-type Passivated Emitter Rear Totally-diffused (n-PERT) cell was investigated. The solar cell structure comprises front boron emitter and a phosphorous back surface field (BSF) with SiNX layers on both sides for surface passivation. Contacts are made by screen printed and fired through metallization using commercial silver (Ag) paste.
Klíčová slova: contact resistivity; n-PERT; n-type; passivation; silicon solar cell; SiNX
Zdrojový dokument: Proceedings of the 22nd Conference STUDENT EEICT 2016, ISBN 978-80-214-5350-0

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/84021

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-383739


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference