Original title:
GaN modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Translated title:
Schottky solar cells with interface graphene/si modified by GaN
Authors:
Mohelský, Ivan ; Voborný, Stanislav (referee) ; Mach, Jindřich (advisor) Document type: Bachelor's theses
Year:
2018
Language:
cze Publisher:
Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství Abstract:
[cze][eng]
Tato práce se zabývá přípravou a charakterizací Schottkyho solárních článků s přechodem grafen/křemík. Pro tuto studii byla navržena a vyrobena aparatura pro měření I-V charakteristik solárního článku. Rozhraní grafen/křemík bylo dále modifikováno nanokrystaly galium nitridu a byl studován vliv těchto krystalů na vlastnosti solárního článku.
This bachelor thesis deals with fabrication and characterization of Schottky solar cells with graphene/silicon junction. For this study, the I-V characteristic measuring device was designed and assembled. Also, the graphene/silicon junction was modified by GaN nanocrystals and properties of such a solar cell was studied.
Keywords:
CVD; GaN nanocrystals; graphene; I-V characteristic; Schottky junction; solar cell; CVD; GaN nanokrystaly; grafen; I-V charakteristika; Schottkyho přechod; solární článek
Institution: Brno University of Technology
(web)
Document availability information: Fulltext is available in the Brno University of Technology Digital Library. Original record: http://hdl.handle.net/11012/83759