host ::
| Hlavní stránka > Konferenční materiály > Příspěvky z konference > Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation. |
Název:
Deformation of thin self-standing mask at inhomogeneous irradiation.
Autoři: Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Štraus, Jaroslav ; Chalupský, Jaromír ; Choukourov, A.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications 2017, 3rd IW FX & XUVOA /3./, Prague (CZ), 20171004
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: Flatness of the mask is one of key features influencing the quality of image. Among factors that can affect mask flatness belongs inhomogeneous illumination. This does not apply to lithography, but to experiments that use only discrete parts of mask e.g. for nanostructuring or other type of material research. It is shown that even single EUV laser shot (laser wavelength ~46.9 nm, pulse duration ~1.5 ns, focused pulse energy ~20 .mu.J, peak fluency 48 J/cm2) not only deforms the mask, but also changes mask-substrate distance. In our case two kinds of grids (one circular with rectangular windows 7.5x7.5 μm and bars 5 micro m (period 12.5x12.5 micro m), other rectangular with rectangular windows 3.2x1.2 μm and bars 0.8 micro m (period 4x2 micro m)) were attached to PMMA substrate and exposed to one or five superimposed focused laser shots. The mask (grid) deformation was inferred from the changes of diffraction pattern engraved into PMMA.
Klíčová slova: interaction of XUV radiation with solid surface; nanopatterning; nanostructuring; XUV diffraction
Číslo projektu: LG15013 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA MŠk
Zdrojový dokument: Proceedings of the 3rd International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications, 3rd IW FX & XUVOA, ISBN 978-80-870026-09-0
Instituce: Ústav fyziky plazmatu AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0280109
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-371472
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky plazmatu
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Autoři: Koláček, Karel ; Schmidt, Jiří ; Frolov, Oleksandr ; Štraus, Jaroslav ; Chalupský, Jaromír ; Choukourov, A.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications 2017, 3rd IW FX & XUVOA /3./, Prague (CZ), 20171004
Rok: 2017
Jazyk: eng
Abstrakt: Flatness of the mask is one of key features influencing the quality of image. Among factors that can affect mask flatness belongs inhomogeneous illumination. This does not apply to lithography, but to experiments that use only discrete parts of mask e.g. for nanostructuring or other type of material research. It is shown that even single EUV laser shot (laser wavelength ~46.9 nm, pulse duration ~1.5 ns, focused pulse energy ~20 .mu.J, peak fluency 48 J/cm2) not only deforms the mask, but also changes mask-substrate distance. In our case two kinds of grids (one circular with rectangular windows 7.5x7.5 μm and bars 5 micro m (period 12.5x12.5 micro m), other rectangular with rectangular windows 3.2x1.2 μm and bars 0.8 micro m (period 4x2 micro m)) were attached to PMMA substrate and exposed to one or five superimposed focused laser shots. The mask (grid) deformation was inferred from the changes of diffraction pattern engraved into PMMA.
Klíčová slova: interaction of XUV radiation with solid surface; nanopatterning; nanostructuring; XUV diffraction
Číslo projektu: LG15013 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA MŠk
Zdrojový dokument: Proceedings of the 3rd International Workshop on Frontiers of X&XUV Optics and its Applications, 3rd IW FX & XUVOA, ISBN 978-80-870026-09-0
Instituce: Ústav fyziky plazmatu AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0280109
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-371472
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fyziky plazmatu
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Záznam vytvořen dne 2018-03-07, naposledy upraven 2021-11-24.