Název: Optické vlastnosti vrstvy GaN na safíru
Překlad názvu: Optical properties of the GaN on sapphire
Autoři: Skalský, Miroslav ; Janta, Jiří ; Čtyroký, Jiří ; Stejskal, J. ; Hüttel, I.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Optické komunikace - O.K.'2001 /5./, Prague (CZ), 2001-11-06 / 2001-11-07
Rok: 2001
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
V příspěvku je stručně popsána metoda vidové spektroskopie pro měření optických vlastností epitaxní vrstvy nitridu galitého (GaN) na safírové podložce. Jsou uvedeny výsledky měření tloušťky, indexů lomu a útlumu vedených vidů pro vlnové délky 632,8 nm a 781 nm. Z naměřených hodnot měrného útlumu vedených vidů je kvalitativně stanoven podíl absorpce v objemu vlnovodné vrstvy a rozptylu na jejích rozhraních na celkových optických ztrátách vlnovodu. The method of mode spectroscopy was used to measure optical properties of epitaxial layers of gallium nitride (GaN) deposited onto the sapphire substrate. The results of the measurement of the layer thickness, refractive indices, and the attenuation of guided modes at the wavelengths of 632.8 nm and 781 nm are presented. From experimental values of attenuation of different guided modes, the contributions of bulk absorption and scattering at the interfaces of the layer to the total optical loss in the waveguide are determined.
Klíčová slova: integrated optics; optical waveguides; thin films
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2067918 (CEP), KSK2067107 Projekt 07/01:4072 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Optické komunikace - O.K.'2001

Instituce: Ústav fotoniky a elektroniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0114064

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-32492


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav fotoniky a elektroniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference