Název: Application of low-energy backscattered electron detection in the inspection of semiconductor devices technology
Autoři: Hutař, Otakar ; Oral, Martin ; Müllerová, Ilona ; Romanovský, Vladimír
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: EUREM /12./ - European Congress on Electron Microscopy, Brno (CZ), 2000-07-09 / 2000-07-14
Rok: 2000
Jazyk: eng
Abstrakt: The low energy backscattered electron (BSE) detector, equipped with an electrostatic immersion lens for the retardation of the primary electron beam (PE) was elaborated and used for the imaging of surface semiconductor device specimens in a commercial SEM. Despite the signal of BSE is generally lower than that obtained using secondary electrons (SE), the achieved results predestine this BSE detection method as a suitable tool for the inspection of the fine structures of semiconductor devices and linewidth measurement of critical dimension (CD).
Číslo projektu: CEZ:AV0Z2065902 (CEP), IBS2065017 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the 12th European Congress on Electron Microscopy, ISBN 80-238-5503-4
Poznámka: Související webová stránka: mailto:ota@isibrno.cz

Instituce: Ústav přístrojové techniky AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0100855

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-29457


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Ústav přístrojové techniky
Konferenční materiály > Příspěvky z konference