Název: Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Překlad názvu: Deposition of Ga and GaN nanostructures on graphene substrate treated by atomic hydrogen
Autoři: Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2016
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga. In this work we studied gallium on graphene. Depositions were done by Molecular beam epitaxy. We observed Raman enhancement and peak shifts by individual Ga islands. Simulation confirmed our assumption, that the enhancement is based on plasmonics effect that is also the main contribution of Surface-enhanced Raman spectroscopy. Another result is hydrogenation of graphene before deposition does have an effect on Ga structure and reduces diffusion length of Ga atoms.
Klíčová slova: grafén; gálium; molekulová zväzková epitaxia; Ramanovo zosilnenie; SERS; gallium; graphene; molecular beam epitaxy; Raman enhancement; SERS

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/60772

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-254312


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce