Název: Návrh napěťové reference v technologii ONSemi I3T
Překlad názvu: Design of voltage reference circuit in ONSemi I3T technology
Autoři: Pěček, Lukáš ; Prokop, Roman (oponent) ; Kledrowetz, Vilém (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2015
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Napěťové reference tvoří základní součást většiny integrovaných obvodů. Cílem této práce je popsat jejich princip a v technologii ONSemi I3T25 navrhnout kompletní obvod reference včetně layoutu. Byla navržena bandgap napěťová reference s výstupním napětím 1,25 V a s předstabilizací napětí. Pro zvýšení přesnosti byl použit pětibitový trimovací obvod. Voltage references form an essential part of most integrated circuits. The aim of this thesis is to describe their principle and design complete circuit including layout in ONSemi I3T technology. Bandgap voltage reference with 1,25 V out-put and with preregulator was designed. Five-bit trimming circuit was used to increase accuracy.
Klíčová slova: bandgap; Brokaw; CMOS; napěťová; reference; trimování; bandgap; Brokaw; CMOS; reference; trimming; voltage

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/41532

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-244436


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce