Název: Tenké vrstvy polykrystalického křemíku
Překlad názvu: Thin Films of Polycrystalline Silicon
Autoři: Lysáček, David ; Schmidt, Eduard (oponent) ; Fejfar, Antonín (oponent) ; Spousta, Jiří (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Disertační práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Disertační práce se zabývá strukturou a vlastnostmi tenkých vrstev polykrystalického křemíku deponovaného metodou LPCVD na zadní stranu křemíkových desek, které jsou dále využívány pro výrobu polovodičových součástek. Práce se zaměřuje na detailní popis struktury vrstev, studium getračních vlastností vrstev a residuálního pnutí ve vrstvách. Hlavním cílem práce je vývoj dvou nových technologií. První vede ke zvýšení teplotní stability getrační schopnosti vrstev. Druhá řeší depozici vrstev s řízeným residuálním pnutím. Disertační práce byla připravována za podpory společnosti ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm. The doctoral thesis deals with the structure and properties of the polycrystalline silicon layers deposited on the silicon wafers backside. The wafers are further used for production of semiconductor devices. This work is focused on detailed description of the layers structure and study of the gettering properties and residual stress of the layers. The main goal of this work is to develop two novel technologies. The first one leads to improvement of the temperature stability of the gettering properties of the layers, and the second one solves the deposition of the layers with pre-determined residual stress. This doctoral thesis was created with the support of the company ON Semiconductor Czech Republic, Rožnov pod Radhoštěm.
Klíčová slova: chemická depozice z plynné fáze; getrace; multivrstevnaté struktury; polykrystalický křemík; chemical vapor deposition; gettering; multilayer structure; polycrystalline silicon

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/7145

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-233931


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Disertační práce