Hlavní stránka > Konferenční materiály > Sborníky > Properties of Erbium-Doped Gallium Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering in Microwave and Optical Technology
Název:
Properties of Erbium-Doped Gallium Nitride Films Prepared by RF Magnetron Sputtering in Microwave and Optical Technology
Překlad názvu:
Magnetron Sputtering in Microwave and Optical Technology
Autoři:
Prajzler, V. ; Schröfel, J. ; Hüttel, I. ; Špirková, J. ; Machovič, V. ; Oswald, J. ; Studnička, V. ; Novotná, M. ; Peřina, Vratislav Typ dokumentu: Sborníky Konference/Akce: Proceedings of SPIE, Ostrava (CZ), 2003-08-11 / 2003-08-15
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Edice: 294-297
Abstrakt: [eng][cze] The paper describes the preparation and properties of gallium nitride layers with erbium content.Vlastnosti Galium nitridových vrstev dopovaných erbiem připravených rf magnetronovým naprašováním a jejich vlastnosti v mikrovlnné a optické technologii.
Klíčová slova:
erbium; gallium nitride; magnetron sputtering Číslo projektu: CEZ:AV0Z1048901 (CEP), GA104/03/0385 (CEP) Poskytovatel projektu: GA ČR
Instituce: Ústav jaderné fyziky AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0012822