Název:
Raman Spectra of Erbium Doped Gallium Nitride Layers Fabricated by Magnetron Sputtering
Překlad názvu:
Ramanovská spektra galium nitridových vrstev dopovaných erbiem a připravených magnetronovým naprašováním
Autoři:
Prajzler, V. ;
Schröfel, J. ;
Hüttel, I. ;
Špirková, J. ;
Machovič, V. ;
Hamáček, J. ;
Peřina, Vratislav
Typ dokumentu: Sborníky
Konference/Akce: Proceedings of the European Microelectronics and Packaging Symposium with Table Top Exibition /3./ , Praha (CZ), 2003-06-16 / 2003-06-18
Rok:
2004
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng] [cze]
The paper presents the influence of erbium ions content in gallium nitride layers on RAMAN spectra.
Práce prezentuje vliv přítomnosti erbiových iontů v galium nitridových vrstvách na Ramanovská spektra.
Klíčová slova:
erbium ;
GaN ;
Raman spectra
Číslo projektu: CEZ:AV0Z1048901 (
CEP ),
GA104/03/0385 (
CEP )
Poskytovatel projektu: GA ČR
Instituce: Ústav jaderné fyziky AV ČR
(
web )
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0012821
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19959
Záznam je zařazen do těchto sbírek: Věda a výzkum > AV ČR > Ústav jaderné fyziky Konferenční materiály > Sborníky