Název: Lasers with thin strained InAs layers in GaAs absorption and electroluminescence
Překlad názvu: Lasery s tenkými InAs vrstvami v GaAs - absorpce a elektroluminiscence
Autoři: Mačkal, Adam
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: International Student Conference on Electrical Engineering /7./, Praha (CZ), 2003-05-22
Rok: 2003
Jazyk: eng
Abstrakt: [eng] [cze]
Contribution presents the electroluminescence, photoabsorption and polarization properties of semiconductor lasers with thin strained InAs layers in GaAs at elevated temperature (above 25.sup.o./sup.C). The lasers exhibit high optical recombination efficiency, low threshold current density and wide temperature operation range Příspěvek obsahuje elektroluminiscenční, fotoabsorpční a polarizační vlastnosti polovodičových laserů s tenkými napjatými vrstvami InAs v GaAs při zvýšených teplotách (nad 25.sup.o./sup. C). Tyto lasery vykazují vysokou účinnost zářivé rekombinace, nízkou prahovou proudovou hustotu a široký obor pracovních teplot
Klíčová slova: elektroluminiscence; electroluminescence; GaAs; InAs; photoabsorption; polarisation; strained quantum well
Číslo projektu: IAA1010318 (CEP), CEZ:AV0Z1010914 (CEP), CEZ:MSM 212300014
Poskytovatel projektu: GA AV ČR
Zdrojový dokument: Proceedings of the International Student Conference on Electrical Engineering

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0007549

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-19263


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference