keywords:"low energy SEM" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"low energy SEM"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Zobrazování nevodivých vzorků pomocí nízkoenergiových zpětně odražených elektronů v SEM Wandrol, Petr Článek se zabývá problémy zobrazování nevodivých vzorků v SEM, které jsou způsobovány především jejich nabíjením. Použití nízké energie primárního svazku a pozorování pomocí zpětně odražených elektronů bylo navrženo pro potlačení nábojových artefaktů v obraze. Dále je popsán nově vyvinutý detektor zpětně odražených elektronů pro nízkoenrgiovou SEM a jsou prezentovány obrázky nepokovených nevodivých vzorků bez nábojových artefaktů pořízené tímto detektorem. Úplný záznam
	Konstrukce nízkoenergiového REM Vlček, Ivan Příspěvek stručně představuje hlavní znaky navrhovaného rastrovacího mikroskopu s nízkou energií elektronů. Úplný záznam
	Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů Mika, Filip Tématem práce je studium jedné technologické vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí rastrovacího mikroskopu s pomalými elektrony, a to jak v ultravysokovakuových, tak i ve standardních vakuových podmínkách. Cílem je nalezení optimálních podmínek zobrazení dopovaných oblastí a získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. Úplný záznam
	Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM Mika, Filip ; Frank, Luděk Velikost funkčních detailů v polovodičové struktuře se trvale zmenšuje. Mezi strukturními prvky hrají klíčovou roli lokálně dopované obrazce a existuje tedy potřeba nástrojů umožňujících jejich pozorování. Pro rychlou diagnostiku a kontrolu kvality polovodičů je používán rastrovací elektronový mikroskop se svým širokým rozsahem zvětšení, možností detekovat různé typy signálů, rychlostí sběru dat a minimálním poškozováním preparátu při pozorování, zvláště při nízkých energiích elektronů. Koncentrace dopantu v polovodiči je kvantitativně určována na základě měření úrovně obrazového kontrastu v signálu sekundárních elektronů (SE) mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English