|
|
Pressure Sensors Based on Modern Nanotechnologies
Magát, Martin ; Hudec, Lubomír (referee) ; Vlach, Radek (referee) ; Vrba, Radimír (advisor)
This thesis describes utilization of a nanotechnology in new pressure sensors. Detailed analysis of individual principles are carrying on. And simulations and experimental models of sensors are developed. More detailed description is provided for new capacitive pressure sensor, which is manufactured using nanotechnology, including its model and analysis in order to improve its properties. The work deals with the emission pressure sensor which uses the principle of cold emissions, including analysis comparison of the measured values of the emission current from the applied nanotubes field and analysis to improve emissions performance.
|
|
|
High Temperature Processes in Silicon Solar Cells Production
Frantík, Ondřej ; Hudec, Lubomír (referee) ; Banský,, Juraj (referee) ; Szendiuch, Ivan (advisor)
The thesis is focused on high temperature processes in crystalline solar cells production. Main topic is diffusion of traditional dopants phosphorus and boron. Diffusion processes for creating solar cells are different from classical diffusion in semiconductor industrial. It is reason why the thesis describes crated layers in detail. Knowledge of diffusion processes is used for creating bifacial solar cells and development of a new phosphorus emitter for conventional solar cells. Bifacial cells are a new type of cells. Developed new emitter increases efficiency and decreases cost of solar cells production. Another part the thesis is devoted to the prediction of diffusion processes. New models of phosphorus and boron diffusion for photovoltaic industrial are created in software SILVACO. Models correspond with real results.
|
|
|
Transport and Noise Characteristics of MOSFET Transistors
Chvátal, Miloš ; Hudec, Lubomír (referee) ; Koktavý, Bohumil (referee) ; Pavelka, Jan (advisor)
This doctoral thesis is focused on the analysis of transport characteristics of submicron and micron transistors MOSFET. The assumption is a constant gradient of concentration, which leads to the fact that the diffusion current density is independent of the distance from the source. Active energy was determined from temperature dependence. The proposed physical model made it possible to determine the value of access resistance between drain and source their temperature dependence. Based on the assumption that the divergence of the gradient of the current density in the channel is zero. IV characteristics of the transistor MOSFET are derived and conducted experimental monitoring current channel depending on the collector voltage for the series of samples with different channel lengths in a wide temperature range from 10 to 350 K. Information on the concentration of charge transport in the channel and the position of the Fermi level at the point of active trap, which is the source of RTS noise, is obtained from the analysis of the transport characteristics. Determining the concentration of charge transport and the position of the Fermi level is important because these variables determine the intensity of quantum transitions and their values are not the same throughout the length of the channel. It was experimentally proved from the analysis of the characteristics of RTS noise that concentration at the local channel decreases with increasing current at a constant voltage on the gate and a variable voltage at the collector. Further, the position of active traps of RTS noise was intended and it was found that this is located near the collector. Active trap is located at the point where the Fermi level coincides with energy level of the traps.
|
|
|
The Modelling of the Delta-Sigma Modulators Modern Structures Utilizing Switched-Current Technique
Pavlík, Michal ; Ďuračková, Daniela (referee) ; Hudec, Lubomír (referee) ; Vrba, Radimír (advisor)
The thesis deals with an influence of the errors caused by utilization of the switched-current (SI) approach in the delta-sigma modulators. The basic block of the SI technique is current memory cell (CMC). The analysis of the errors starts with the design of the CMC using CADENCE software and AMIS CMOS 0.7 um technology. Based upon analysis of the CMC no ideal transfer function and advanced techniques of their behavior modeling are depicted. The mathematical models were made and implemented using MATLAB SIMULINK software. The models are very universal. Therefore, it is possible to analyze various structures of the delta-sigma modulators using demanded technology. The influence of the SI technique approach errors sources, on the modulators behavior with the CMC of the 1st and 2nd generation, is concluded at the end.
|
|
|
Charge Carrier Transport in Ta2O5 Oxide Nanolayers with Application to the Tantalum Capacitors
Kopecký, Martin ; Koktavý, Bohumil (referee) ; Hudec, Lubomír (referee) ; Sedláková, Vlasta (advisor)
Studium transportu náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách se zaměřuje především na objasnění vlivu defektů na vodivost těchto vrstev. Soustředíme se na studium oxidových nanovrstev Ta2O5 vytvořených pomocí anodické oxidace. Proces výroby Ta2O5 zahrnuje řadu parametrů, jež ovlivňují koncentraci defektů (oxidových vakancí) v této struktuře. Vrstva oxidu Ta2O5 o tloušťce 20 až 200 nm se často používá jako dielektrikum pro tantalové kondenzátory, které se staly nedílnou součástí elektrotechnického průmyslu. Kondenzátory s Ta2O5 dielektrickou vrstvou lze modelovat jako strukturu MIS (kov – izolant – polovodič). Anodu tvoří tantal s kovovou vodivostí, katodu potom MnO2 či vodivý polymer (CP), které jsou polovodiče. Hodnoty elektronových afinit, respektive výstupních prací, jednotlivých materiálů potom určují výšku potenciálových bariér vytvořených na rozhraních kov-izolant (M – I) a izolant-polovodič (I – S). Dominantní mechanizmy transportu náboje lze určit analýzou I-V charakteristiky zbytkového proudu. Dominantní mechanizmy transportu náboje izolační vrstvou jsou ohmický, Poole-Frenkelův, Shottkyho a tunelování. Uplatnění jednotlivých vodivostních mechanismů je závislé na teplotě a intenzitě elektrického pole v izolantu. Hodnota zbytkového proud je významným indikátorem kvality daného izolantu. Ten závisí na technologii výroby kondenzátoru, významně především na parametrech anodické oxidace a na materiálu katody. I-V charakteristiky zbytkového proudu se měří v normálním a reversním módu, tj. normální mód značí kladné napětí na anodě a reversní mód záporné napětí na anodě. I-V charakteristika je výrazně nesymetrická, a proto tyto kondenzátory musí být vhodně polarizovány. Nesymetrie I-V charakteristiky se snižuje s klesající teplotou, při teplotě pod 50 K a je možno některé kondenzátory používat jako bipolární součástky. Z analýzy I-V charakteristiky lze určit řadu parametrů, jako tloušťku izolační vrstvy a koncentraci defektů v izolační Ta2O5 vrstvě a dále lze odhadnout parametry MIS modelu kondenzátoru - stanovit hodnotu potenciálových bariér na rozhraních M – I a I – S. Měření C-V charakteristik při různých teplotách v rozsahu 10 až 300 K je využíto pro určení výšky potenciálové bariéry na rozhraní I – S, závislosti kapacity na teplotě a dále pro výpočet efektivní plochy elektrod. Z výbrusu vzorků na skenovacím elektronovém mikroskopu byly určeny tloušťky dielektrika Ta2O5 pro jednotlivé vyhodnocované řady kondenzátorů.
|
|
|
Modular approach to desing of modern analog devices in CMOS technology
Prokop, Roman ; Ďuračková, Daniela (referee) ; Hudec, Lubomír (referee) ; Musil, Vladislav (advisor)
The presented dissertation thesis deals with modular design of analog circuits in CMOS technology. The goal of the work is to design a set of modular microelectronic building blocks and realize the selected modern active circuits, working primarily in current mode. Nevertheless, the modular approach can be used for design of generally known classical elements, e.g. opamps, as well. As a part of the work, the development of the totally new highly versatile active circuit CCTA has been done, including detailed analysis of utilization and introduction of the most interesting applications. This circuit CCTA, together with relative, already theoretically treated circuit CDTA, has been realized here for the first time, in two different topologies. Final circuits were tested. On the basis of measurement results the library of behavioral models for PSpice was created, including exemplary simulations of the selected applications. Based on the obtained knowledge the brief comparison of voltage mode circuits and current mode circuits was done.
|
|
|
Modelling of professional competences
Horák, Josef ; Novák, Daniel (advisor) ; Hudec, Lubomír (referee) ; Friedmann, Zdeněk (referee)
This dissertation presents the view of the place and mission of the secondary vocational education with apprenticeship certificate in a wider educational context of the knowledge society. It includes the implementation of the pragmatic issues of philosophy in educational activities including a new paradigmum of the web environment and theories of active teaching together with exposure to certain problems and trends of current pedagogy. It presents the view of the object of education (e.g. a pupil) in terms of creating of professional competences through didactic technology of modelling in apprenticeship of a metalworker and of teaching roles of educators (teachers of vocational and general education courses, teachers of vocational training, educators) in this type of formal education. The dissertation provides a stint of opinions, viewpoints and answers to many particular questions of the subject and it uses not only professional works of our authors but also of renowned foreign experts in this field. The dissertation thesis offers some trends and methodological approaches that can support and develop the educational creativity of teachers and students activity as well. The work offers some trends and methodological approaches that can support and develop the educational creativity of teachers and...
|
|
|
Charge Carrier Transport in Ta2O5 Oxide Nanolayers with Application to the Tantalum Capacitors
Kopecký, Martin ; Koktavý, Bohumil (referee) ; Hudec, Lubomír (referee) ; Sedláková, Vlasta (advisor)
Studium transportu náboje v Ta2O5 oxidových nanovrstvách se zaměřuje především na objasnění vlivu defektů na vodivost těchto vrstev. Soustředíme se na studium oxidových nanovrstev Ta2O5 vytvořených pomocí anodické oxidace. Proces výroby Ta2O5 zahrnuje řadu parametrů, jež ovlivňují koncentraci defektů (oxidových vakancí) v této struktuře. Vrstva oxidu Ta2O5 o tloušťce 20 až 200 nm se často používá jako dielektrikum pro tantalové kondenzátory, které se staly nedílnou součástí elektrotechnického průmyslu. Kondenzátory s Ta2O5 dielektrickou vrstvou lze modelovat jako strukturu MIS (kov – izolant – polovodič). Anodu tvoří tantal s kovovou vodivostí, katodu potom MnO2 či vodivý polymer (CP), které jsou polovodiče. Hodnoty elektronových afinit, respektive výstupních prací, jednotlivých materiálů potom určují výšku potenciálových bariér vytvořených na rozhraních kov-izolant (M – I) a izolant-polovodič (I – S). Dominantní mechanizmy transportu náboje lze určit analýzou I-V charakteristiky zbytkového proudu. Dominantní mechanizmy transportu náboje izolační vrstvou jsou ohmický, Poole-Frenkelův, Shottkyho a tunelování. Uplatnění jednotlivých vodivostních mechanismů je závislé na teplotě a intenzitě elektrického pole v izolantu. Hodnota zbytkového proud je významným indikátorem kvality daného izolantu. Ten závisí na technologii výroby kondenzátoru, významně především na parametrech anodické oxidace a na materiálu katody. I-V charakteristiky zbytkového proudu se měří v normálním a reversním módu, tj. normální mód značí kladné napětí na anodě a reversní mód záporné napětí na anodě. I-V charakteristika je výrazně nesymetrická, a proto tyto kondenzátory musí být vhodně polarizovány. Nesymetrie I-V charakteristiky se snižuje s klesající teplotou, při teplotě pod 50 K a je možno některé kondenzátory používat jako bipolární součástky. Z analýzy I-V charakteristiky lze určit řadu parametrů, jako tloušťku izolační vrstvy a koncentraci defektů v izolační Ta2O5 vrstvě a dále lze odhadnout parametry MIS modelu kondenzátoru - stanovit hodnotu potenciálových bariér na rozhraních M – I a I – S. Měření C-V charakteristik při různých teplotách v rozsahu 10 až 300 K je využíto pro určení výšky potenciálové bariéry na rozhraní I – S, závislosti kapacity na teplotě a dále pro výpočet efektivní plochy elektrod. Z výbrusu vzorků na skenovacím elektronovém mikroskopu byly určeny tloušťky dielektrika Ta2O5 pro jednotlivé vyhodnocované řady kondenzátorů.
|
|
|
Pressure Sensors Based on Modern Nanotechnologies
Magát, Martin ; Hudec, Lubomír (referee) ; Vlach, Radek (referee) ; Vrba, Radimír (advisor)
This thesis describes utilization of a nanotechnology in new pressure sensors. Detailed analysis of individual principles are carrying on. And simulations and experimental models of sensors are developed. More detailed description is provided for new capacitive pressure sensor, which is manufactured using nanotechnology, including its model and analysis in order to improve its properties. The work deals with the emission pressure sensor which uses the principle of cold emissions, including analysis comparison of the measured values of the emission current from the applied nanotubes field and analysis to improve emissions performance.
|
|
|
Transport and Noise Characteristics of MOSFET Transistors
Chvátal, Miloš ; Hudec, Lubomír (referee) ; Koktavý, Bohumil (referee) ; Pavelka, Jan (advisor)
This doctoral thesis is focused on the analysis of transport characteristics of submicron and micron transistors MOSFET. The assumption is a constant gradient of concentration, which leads to the fact that the diffusion current density is independent of the distance from the source. Active energy was determined from temperature dependence. The proposed physical model made it possible to determine the value of access resistance between drain and source their temperature dependence. Based on the assumption that the divergence of the gradient of the current density in the channel is zero. IV characteristics of the transistor MOSFET are derived and conducted experimental monitoring current channel depending on the collector voltage for the series of samples with different channel lengths in a wide temperature range from 10 to 350 K. Information on the concentration of charge transport in the channel and the position of the Fermi level at the point of active trap, which is the source of RTS noise, is obtained from the analysis of the transport characteristics. Determining the concentration of charge transport and the position of the Fermi level is important because these variables determine the intensity of quantum transitions and their values are not the same throughout the length of the channel. It was experimentally proved from the analysis of the characteristics of RTS noise that concentration at the local channel decreases with increasing current at a constant voltage on the gate and a variable voltage at the collector. Further, the position of active traps of RTS noise was intended and it was found that this is located near the collector. Active trap is located at the point where the Fermi level coincides with energy level of the traps.
|
guest ::
RSS feed.