|
|
Elektrodové hmoty pro záporné elektrody lithium-iontových akumulátorů
Šikuda, Milan ; Vondrák, Jiří (oponent) ; Libich, Jiří (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá studiem základních funkčních principů článků. Zaměřuje se především na uhlíkaté materiály, které jsou základem záporných elektrodových hmot lithium-iontových akumulátorů. Cílem této práce je pochopit princip lithium-iontového akumulátoru, získat přehled o současně nejrozšířenějších materiálech používaných pro záporné elektrodové hmoty spolu měřením jejich charakteristik. Dále pak porovnat charakteristiky uhlíkových materiálů s alternativními materiály pro záporné elektrody na bázi křemíku. První část se zaměřuje na princip funkčnosti lithium-iontových akumulátorů spolu s popisem měřících galvanostatických a potenciometrických metod. Praktická část se zabývá přípravou a měřením charakteristik záporných elektrodových hmot.
|
|
|
Budicí obvody výkonového tranzistoru SiC MOSFET
Vitek, Vojtech ; Vorel, Pavel (oponent) ; Procházka, Petr (vedoucí práce)
Bakalárska práca opisuje princípy budenia výkonových tranzistorov MOSFET z materiálu karbid kremíka SiC. Cieľom je podrobne opísať jednotlivé typy budenia a základné zásady pri navrhovaní budičov. Praktickou časťou práce je osadenie dosky plošných spojov budiča navrhnutého na UVEE FEKT VUT Brno a overenie jeho činnosti .
|
|
|
Non-Destructive Local Diagnostics of Optoelectronic Devices
Sobola, Dinara ; Pína,, Ladislav (oponent) ; Pinčík,, Emil (oponent) ; Tománek, Pavel (vedoucí práce)
To obtain novel materials for emerging optoelectronic devices, deeper insight into their structure is required. To achieve this, the development and application of new diagnostic methods is necessary. To contribute to these goals, this dissertation thesis is concerned with local diagnostics, including non-destructive mechanical, electrical and optical techniques for examining the surface of optoelectronic devices and materials. These techniques allows us to understand and improve the overall efficiency and reliability of optoelectronic device structures, which are generally degraded by defects, absorption, internal reflection and other losses. The main effort of the dissertation work is focused on the study of degradation phenomena, which are most often caused by both global and local heating, resulting in increased diffusion of ions and vacancies in the materials of interest. From a variety of optoelectronic devices, we have chosen two representative devices: a) solar cells - a large p-n junction device, and b) thin films - substrates for micro optoelectronic devices. In both cases we provide their detailed surface characterization. For the solar cells, scanning probe microscopy was chosen as the principal tool for non-destructive characterization of surface properties. This method is described, and both positive and negative aspects of the methods used are explained on the basis of literature review and our own experiments. An opinion on the use of probe microscopy applications to study solar cells is given. For the thin films, two interesting, from the stability point of view, materials were chosen as candidates for heterostructure preparation: sapphire and silicon carbide. The obtained data and image analysis showed a correlation between surface parameters and growth conditions for the heterostructures studied for optoelectronic applications. The thesis substantiates using these prospective materials to improve optoelectronic device performance, stability and reliability.
|
|
|
Charakterizace nanostruktur deponovaných vysokofrekvenčním magnetronovým naprašováním
Hégr, Ondřej ; Boušek, Jaroslav (vedoucí práce)
Práce se zabývá analýzou nanostrukturovaných vrstev, deponovaných na povrch monokrystalického křemíku pomocí vysokofrekvenčního magnetronového naprašování. Obsah práce je zaměřen na aplikaci magnetronového naprašování jako alternativní metody pro depozici pasivačních a antireflexních vrstev na křemíkových solárních článcích. Je navržen postup pro předdepoziční čištění povrchů křemíkových substrátů plazmatickým leptáním v prostředí Ar/H2 a reaktivní depozici hydrogenovaných vrstev nitridu křemíku a nitridu hliníku ve směsi plynů Ar/N2/H2. Část práce je věnována popisu experimentálních depozic pseudokarbidových vrstev z křemíkového terče a reaktivního acetylenu (C2H2) v průmyslových podmínkách. Velký důraz je kladen na zkoumání vlastností vrstev a vytvářených poměrů na rozhraní křemík-vrstva za pomoci několika standardních a speciálních měřících metod. Strukturální složení naprašovaných vrstev je analyzováno moderními metodami rentgenové spektroskopie (XPS) a Fourierovské infračervené spektroskopie (FTIR). Pro diagnostiku optických vlastností naprašovaných vrstev v závislosti na vlnových délkách dopadajícího světla jsou vrstvy měřeny pomocí optické elipsometrie a spektrofotometrie. Zkoumání pasivačních účinků naprašovaných vrstev je zajišťováno speciální metodou pro měření plošného rozložení doby života nosičů náboje v objemu a na povrchu křemíkových substrátů (MW-PCD).
|
|
|
Nízkoteplotní zkoušky a lomová houževnatost vybraných keramických materiálů
Beck, Branislav ; Drdlík, Daniel (oponent) ; Chlup, Zdeněk (vedoucí práce)
Diplomová práca sa zaoberá určovaním lomovej húževnatosti sintrovaného karbidu kremíka a liateho čadiča za využitia vzoriek s rovným vrubom (SEVNB) a chevronovým vrubom (CNB) pri izbovej a znížených teplotách. Úvodné kapitoly teoretickej časti práce rozdeľujú keramické materiály do základných skupín a charakterizujú ich použitie. V nasledujúcich kapitolách sú popísané základy lomovej mechaniky keramických materiálov a skúšanie lomovej húževnatosti týchto materiálov rôznymi metódami. Posledná kapitola teoretickej časti práce sa zaoberá popisom štruktúry a vlastností karbidu kremíka. Experimentálna časť diplomovej práce sa v úvode zaoberá použitými metódami charakterizácie vybraných materiálov z hľadiska ich mikroštruktúry a lomového chovania. Detailne popisuje prípravu vzoriek ako aj priebeh skúšania a vyhodnocovania lomovej húževnatosti sintrovaného karbidu kremíka a liateho čadiča pri izbovej teplote a najmä pri teplote -100 °C. Diskusia sa zameriava na zhodnotenie nadobudnutých výsledkov s ohľadom na možné nepresnosti meraní a vplyvu použitej metódy skúšania. Bolo zistené, že zníženie teploty vykonávania skúšok je sprevádzané rozdielom v hodnotách lomovej húževnatosti. Tento rozdiel je závislý jednak na použitej metóde hodnotenia lomovej húževnatosti a aj na študovanom materiáli. V závere práce sú sumarizované zásadné výsledky získané v priebehu experimentálnych prác.
|
|
|
Experimentální blokující spínaný zdroj 1200 W/ 150 kHz s polovodiči SiC
Grom, Martin ; Huták, Petr (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom a realizáciou experimentálneho blokujúceho meniča s využitím neobvyklého zapojenia pre bezstratové obmedzenie napäťového prekmitu na spínacom tranzistore a s využitím súčiastok z karbidu kremíka. Je popísaná problematika využitia blokujúceho meniča na prenos väčšieho výkonu a možné spôsoby riadenia. Ďalej je popísaný návrh silových a riadiacich obvodov, návrh DPS, zostrojenie meniča a namerané priebehy. Záver práce tvorí technická dokumentácia navrhnutej dosky. Navrhnutý menič bol úspešne zostrojený a odskúšaný.
|
|
|
Výzkum záporných elektrod pro lithno-iontové akumulátory
Drahokoupil, Petr ; Libich, Jiří (oponent) ; Sedlaříková, Marie (vedoucí práce)
Tato práce se bude zabývat problematikou lithiace záporné elektrody u lithium-ionových akumulátorů V práci je použito několik typů materiálů na výrobu elektrod: uhlík, FeCl3, lithiované uhlíkové elektrody a karbid křemíku. Zmenšení nevratné kapacity lithno-ionových baterií by vedlo nejenom k větší kapacitě, ale bylo by možné využívat jiné materiály pro jejich kladnou elektrodu. Práce se zabývá rozdíly ve vlastnostech materiálů při použití lithiace materiálů a možné využití v praxi.
|
|
|
Silicon carbide for chemical application prepared by SPS method
Brožek, Vlastimil ; Kubatík, Tomáš František ; Vilémová, Monika ; Mušálek, Radek ; Mastný, L.
Silicon carbide discovered more than 121 years ago has a wide usage in the mechanical engineering industry as well as in electrical engineering.It is an excellent abrasive medium as well as a construction material with high resistance to mechanical and chemical deterioration.Under standard condition, silicon carbide has no melting point (decomposes at 2700 °C – principle used for industrial production of silicon),thus the bulk form must be prepared in a composite form with a metallic, ceramic or polymer binder. This method is suitable for tailoring of mechanical properties; nevertheless,it does not produce SiC form applicable for laboratory purposes.Binder-free sintering of SiC is practically impossible, despite decreased chemical resistivity of the produced material. Pure SiC is insoluble in all acids except hydrofluoric acid.Reaction of SiC with HF is enabled only due to residual SiO2 created during the industrial production.However, SiO2 located between the planes of growth of SiC
|
|
| |
|
| |
host ::
RSS.