|
|
Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB
Mareš, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
|
|
|
Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM).
|
|
|
Sekvenční růst GaN nanokrystalů na substrát SiO2 modifikovaný metodou FIB
Flajšmanová, Jana ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na selektivní růst gallia (Ga) a nitridu gallia (GaN). V teoretické části je stručně popsán růst ultratenkých vrstev s ohledem na GaN a techniky jeho přípravy. Experimentální část se zabývá depozicemi Ga a GaN na křemíkový substrát Si(1 1 1). Substrát s nativní vrstvou oxidu křemičitého (SiO2) byl modifikován fokusovaným iontovým svazkem (FIB). GaN bylo deponováno sekvenčně užitím procesu postnitridace. Vzorky byly studovány mikroskopem atomárních sil (AFM), rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) a rastrovacím elektronovým mikroskopem (SEM).
|
|
|
Selektivní růst GaN na modifikovaný substrát metodou FIB
Mareš, Petr ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá selektivním růstem krystalů GaN na SiO2. Teoretická část pojednává o charakteru růstu ultratenkých vrstev s důrazem na nitrid gallia a metody jeho přípravy. Teoretická část také obsahuje popis metody fokusovaného iontového svazku a základní principy dalších metod, které byly používány pro analýzu vzorků (AFM, XPS, fotoluminiscenční spektroskopie). Experimentální část se zabývá depozicí GaN na Si(111) s nativní vrstvou oxidu křemíku SiO2 (1-2 nm). Fokusovaným iontovým svazkem byly na substrátu vytvořeny vhodné struktury pro selektivní růst. Selektivního růstu bylo dosaženo pomocí metody postnitridace. Následně práce studuje principy unikátní metody pulzní depozice GaN, zejména ve vztahu k možnosti řízení velikosti krystalů GaN.
|
host ::
RSS.