|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
|
| |
|
|
Evoluční vztahy tetraploidních zástupců skupiny Galium pusillum (sekce Leptogalium) na území střední Evropy. Alopatrická diferenciace českého endemického druhu G. sudeticum.
Knotek, Adam ; Kolář, Filip (vedoucí práce) ; Chrtek, Jindřich (oponent)
V předkládané práci se zabývám evoluční historií polyploidní skupiny Galium pusillum se zaměřením na český endemický druh G. sudeticum, který představuje ideální modelový případ pro studium alopatrické speciace v kontextu (post)glaciálního vývoje středoevropské krajiny. Získaná morfologická a molekulární data poukazují na zcela odlišnou historii dvou izolovaných arel G. sudeticum v Krkonoších a na hadcích ve více jak 200 km vzdáleném Slavkovském lese. Krkonošské populace G. sudeticum jsou pravděpodobně pozůstatkem severního okraje areálu horského druhu G. anisophyllon, který při poledových změnách vegetace hybridizoval s nížinným druhem G. valdepilosum. To podporuje jak intermedierní postavení krkonošských populací v morfologických a molekulárních AFLP analýzách tak i sdílení téhož chloroplastového haplotypu s geograficky blízkými nížinnými populacemi. Na druhé straně hadcové populace ze Slavkovského lesa jsou morfologicky i molekulárně zcela neodlišitelné od druhu G. valdepilosum. Překvapivým výsledkem je nalezení geneticky zcela odlišné skupiny několika populací G. valdepilosum v západních Čechách a v Bavorsku, nacházejících se na reliktních stanovištích (vápencové a hadcové výchozy). Tato skupina může představovat pozůstatek jiné, možná dávnější migrace a vyzdvihuje funkci edaficky podmíněných stanovišť...
|
|
| |
|
|
Evoluční vztahy tetraploidních zástupců skupiny Galium pusillum (sekce Leptogalium) na území střední Evropy. Alopatrická diferenciace českého endemického druhu G. sudeticum.
Knotek, Adam ; Kolář, Filip (vedoucí práce) ; Chrtek, Jindřich (oponent)
V předkládané práci se zabývám evoluční historií polyploidní skupiny Galium pusillum se zaměřením na český endemický druh G. sudeticum, který představuje ideální modelový případ pro studium alopatrické speciace v kontextu (post)glaciálního vývoje středoevropské krajiny. Získaná morfologická a molekulární data poukazují na zcela odlišnou historii dvou izolovaných arel G. sudeticum v Krkonoších a na hadcích ve více jak 200 km vzdáleném Slavkovském lese. Krkonošské populace G. sudeticum jsou pravděpodobně pozůstatkem severního okraje areálu horského druhu G. anisophyllon, který při poledových změnách vegetace hybridizoval s nížinným druhem G. valdepilosum. To podporuje jak intermedierní postavení krkonošských populací v morfologických a molekulárních AFLP analýzách tak i sdílení téhož chloroplastového haplotypu s geograficky blízkými nížinnými populacemi. Na druhé straně hadcové populace ze Slavkovského lesa jsou morfologicky i molekulárně zcela neodlišitelné od druhu G. valdepilosum. Překvapivým výsledkem je nalezení geneticky zcela odlišné skupiny několika populací G. valdepilosum v západních Čechách a v Bavorsku, nacházejících se na reliktních stanovištích (vápencové a hadcové výchozy). Tato skupina může představovat pozůstatek jiné, možná dávnější migrace a vyzdvihuje funkci edaficky podmíněných stanovišť...
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
|
|
|
Aplikace fokusovaného iontového a elektronového svazku v nanotechnologiích
Šamořil, Tomáš ; Mikulík, Petr (oponent) ; Jiruše, Jaroslav (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Systémy pracující současně s fokusovanými elektronovými a iontovými svazky jsou v dnešní době velmi důležitými nástroji v oblasti mikro- a nanotechnologií. Kromě zobrazování a analýzy vzorků je lze rovněž využít k litografii, jejíž aplikací jsou připravovány struktury požadovaného tvaru a rozměrů v mikrometrovém až nanometrovém měřítku. Práce nejprve pojednává o jedné z litografických metod – depozici indukované fokusovaným elektronovým nebo iontovým svazkem, u níž je hledáno optimální nastavení podmínek expozice a studována kvalita deponovaných kovových struktur z hlediska tvaru a prvkového složení. Následně je věnována pozornost i dalším typům litografických metod (elektronová, iontová), které jsou aplikovány k přípravě leptacích masek pro následné selektivní mokré leptání monokrystalického křemíku. Kromě optimalizace tohoto procesu je studováno využití leptaného povrchu Si např. pro pozdější selektivní růst kovových materiálů. U leptaných, tvarově a rozměrově definovaných 2D, resp. 3D struktur je studium v některých případech zaměřeno i na jejich funkční vlastnosti.
|
host ::
RSS.