|
|
Příprava řezů vzorků a jejich analýza metodou SIMS
Karlovský, Juraj ; Pechal, Radim (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Táto práca sa zaoberá možnosťami štúdia polovodičových súčastok pomocou metódy SIMS s dôrazom na testovanie rôznych parametrov merania a rôznych spôsobov prípravy vzoriek. V rámci tejto práce bol navrhnutý a otestovaný držiak vzorky kompatibilný s používaným zariadením ToF-SIMS$^{5}$ od spoločnosti IONTOF, ktorý je schopný nakláňať vzorky o definovaný uhol voči vodorovnej rovine. Tento držiak umožňuje opracovávanie vzoriek v hlavnej komore zariadenia ToF-SIMS$^5$ bez nutnosti presunu vzorky medzi zariadeniami a držiakmi. Tento držiak bol použitý opracovaniu hrany vzorky TIGBT tranzistora a zobrazeniu hrany krátera predchádzajúceho merania. Na TIGBT tranzistoroch boli zobrazované vnútorné štruktúry preparované rôznymi spôsobmi. Ďalej boli optimalizované parametre merania tenckých vrstiev na molybdén-kremíkovom multivrstvovom R\"{o}ntgenovom zrkadle a na indiových multivrstvách v GaN, kde bol pozorovaný vplyv teploty vzorky behom merania SIMS na výsledné hĺbkové proifly.
|
|
|
Návrh atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách UHV
Horáček, Matěj ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části práce je stručně popsána problematika tvorby epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část bakalářské práce je věnována grafenovým vrstvám, zejména pak jejich přípravě metodou molekulární svazkové epitaxe. Třetí část práce se stručně zabývá detekcí atomárních svazků uhlíku. Praktická část této bakalářské práce je věnována návrhu a konstrukci vysokoteplotního atomárního zdroje uhlíku. V závěru práce jsou pak diskutovány dosažené výsledky.
|
|
|
Návrh a optimalizace piezoaktuátorů
Jajtner, Jan ; Pavera, Michal (oponent) ; Nováček, Zdeněk (vedoucí práce)
Bakalářská práce se věnuje návrhu, vývoji a optimalizaci lineárního piezoaktuátoru typu impact-drive určeného k aplikaci v rastrovacím tunelovacím mikroskopu kde bude pracovat jako mechanický manipulátor měřící jehly, pracujícího ve svislém směru. Text teoreticky rozpracovává a analyzuje problematiku piezoaktuátorů pracujících v UHV, přičemž v rámci teoretické diskuse je vytvořen matematický simulační model a formulovány požadavky na provoz manipulátoru, na jejichž základě je aktuátor navržen a realizován. V závěru práce jsou charakteristiky motoru měřeny a konfrontovány s numerickým modelem, přičemž je prototyp optimalizován nastavením nejefektivnějších parametrů budícího pulzu a silového zatížení.
|
|
|
Depozice CaF2 ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Caesar, Radek ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje přípravě a analýze ultratenkých vrstev CaF2 (fluoridu vápenatého). CaF2 byl deponován napařováním v podmínkách UHV za teploty substrátu v rozsahu 20 °C až 400 °C. Depozice probíhala na Si(111) substrát s nativní vrstvou SiO2 a na substrát doplněný o CVD grafenovou vrstvu. Připravené ultratenké vrstvy byly analyzovány pomocí metod XPS, AFM a SEM. V rámci této práce byly rovněž navrhnuty čtyři různé nosiče vzorku pro účely depozice.
|
|
|
Sestavení a testování nízkoteplotního mikroskopu STM
Sojka, Antonín ; Páleníček, Michal (oponent) ; Pavera, Michal (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá sestavením nízkoteplotního rastrovacího tunelového mikroskopu STM pracujícího v podmínkách ultravysokého vakua (UHV). Práce pojednává o propojení mikroskopu s elektronikou. Je popsán návrh teplotních stabilizátorů pro ustálení nízkých teplot po vychlazení mikroskopu spolu s konstrukcí rozšíření vakuové komory pro testování STM za nízkých teplot. Dále se zabývá konstrukcí paletek pro transport vzorku a hrotu do mikroskopu. Na závěr tato práce podává stručný návod na ovládání softwaru GXSM a popisuje testování mikroskopu na vzduchu.
|
|
|
Analýza povrchů pevných látek pomocí fotoelektronů - počítačové řízení experimentů
Polčák, Josef ; Zemek, Josef (oponent) ; Cháb, Vladimír (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Dizertační práce se zabývá metodami pro výzkum povrchů pevných látek za použití fotoelektronů emitovaných rentgenovým zářením. Jedná se o metody rentgenové fotolektronové spektroskopie - XPS, úhlově závislé XPS - ARXPS a rentgenové fotoelektronové difrakce - XPD. Práce se zaměřuje především na metodu ARXPS, která slouží k analýze hloubkového složení povrchu vzorků. Pro získávání informace o hloubkovém složení z naměřených spekter ARXPS byl vytvořen výpočetní software v prostředí Matlab, který byl testován na simulovaných datech a také na reálných vzorcích. Pro realizaci uvedených fotoelektronových metod byl navržen kompletní manipulační systém, který zabezpečuje transport vzorků ve vakuové aparatuře a také realizaci experimentů uvedenými metodami. Systém je z velké části řízen elektronicky pomocí vytvořeného ovládacího softwaru v počítači a umožňuje provádět tyto experimenty automatizovaně.
|
|
|
Organické materiály pro molekulární kvantové bity: depozice a analýza chemického složení a morfologie vrstev
Komora, Mojmír ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zaoberá experimentálnou prípravou a analýzou ultratenkých vrstiev železných phtalocyaninov na povrchu kremíkových substrátov s cieľom popísania parametrov vrstiev pri rôznych podmienkách depozície, ako depozičný čas alebo teplota substrátu. Príprava vzoriek prebiehala pomocou metódy MBE vo vakouvej aparatúre za podmienok ultravysokého vákua. Ako analytické metódy na popis chemického zloženia a morfológie pripravených vrstiev boli zvolené metódy röntgenovej fotoelektrónovej spektroskopie, rastrovacej elektrónovej mikroskopie a mikroskopie atomárnych síl.
|
|
|
Spektrální analýza a charakterizace magnetických atomů a studium supravodivých vrstev pomocí nízkoteplotní STM
Cahlík, Aleš ; Jelínek,, Pavel (oponent) ; Šikola, Tomáš (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se dělí na dva tématické podcelky. První tématický podcelek se věnuje renovaci nízkoteplotního STM zařízení od firmy Omicron a jeho následnému využití pro studium preparace supravodivých-magnetických rozhraní. Nejprve je zde ukázána příprava vhodných kovových substrátů, konkrétně W(110) a Ir(111). Dále práce ukazuje výsledky přípravy tenkých železných vrstev na Ir(111). Poslední sekce se zabývá studiem růstu vanadia jak na čistém Ir(111), tak na zmíněném systému Fe-Ir(111). Druhý tématický podcelek se zabývá magnetismem kobaltových atomů na jednovrstevném dichalkogenidu WS2. Jedná se především o studium jejich magnetického momentu a anisotropie pomocí X-ray magnetic circular dichroism (XMCD).
|
|
|
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
|
|
|
Leptání SiO2 pomocí depozice Si
Pokorný, David ; Bábor, Petr (oponent) ; Polčák, Josef (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá jednou z nejzajímavějších reakcí probíhajících v pevné fázi v UHV podmínkách, a to rozkladem SiO2 podle rovnice Si + SiO2 = 2SiO. Využívá dosud nevyzkoušený postup - dodání Si atomů nikoli ze substrátu, ale přímou depozicí na povrch oxidu. Jako zdroj křemíkových atomů byla použita efuzní cela. K objasnění principu této reakce bylo využito jak depozice křemíku na SiO2 substrát za pokojové teploty, tak za zvýšené teploty. Byla stanovena aktivační energie a teplotní závislost rychlosti této reakce. Také byla ověřena možnost leptání SiO2 pomocí depozice Si za UHV podmínek. Připravené vzorky byly zkoumány pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie a mikroskopie atomárních sil.
|
host ::
RSS.