|
|
Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
|
|
|
Correlative tomography
Vařeka, Karel ; Touš,, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
The presented master’s thesis deals with a correlative approach towards multiscale and multimodal analysis of through-silicon-via structures. The research is part of an international project concerning a failure characterization of said structures and implemented semiconductor devices. Correlative microscopy and tomography techniques of NanoXCT, FIB-SEM (EDS), FIB-SIMS, and AFM were proposed to establish a workflow of measurements. Focused ion beam tomography is a method of precise serial sectioning and obtaining valuable high-resolution images (FIB-SEM) or chemical composition maps (FIB-SIMS) at each cross-section. The following image registration shows the possibility of identifying defects as a function of structure depth. Additionally, the thesis outlines methods of image fusion of high-resolution and spectral images to most appropriately demonstrate the obtained data.
|
|
|
Microelectromechanical through-silicon vias
Dulák, Radovan ; Hrdý, Radim (oponent) ; Prášek, Jan (vedoucí práce)
Through-hole silicon vias are key technology enabling 3D system integration and thus creating compact devices. These vertical microstructures interconnect multiple layers and are also used in integrated circuits and MEMS devices. This bachelor‘s thesis focuses on the possibility of preparing these microjunctions by wet anisotropic etching and dry anisotropic etching using the deep reactive ion etching (DRIE) process for use in MEMS. The work shows preparation, etching, plating and galvanic filling of these structures. Using optical and scanning electron microscope (SEM) images, experimental tests and subsequent optimization were performed and evaluated to create a hole with a minimum size of approximately 1 m using a wet etching process and 16 m by a dry etching process. The highest achieved aspect ratio on a wafer was 15:1. In addition, the created holes were plated, galvanically filled with conductive material and electrically tested and measured.
|
|
|
Correlative tomography
Vařeka, Karel ; Touš,, Jan (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
The presented master’s thesis deals with a correlative approach towards multiscale and multimodal analysis of through-silicon-via structures. The research is part of an international project concerning a failure characterization of said structures and implemented semiconductor devices. Correlative microscopy and tomography techniques of NanoXCT, FIB-SEM (EDS), FIB-SIMS, and AFM were proposed to establish a workflow of measurements. Focused ion beam tomography is a method of precise serial sectioning and obtaining valuable high-resolution images (FIB-SEM) or chemical composition maps (FIB-SIMS) at each cross-section. The following image registration shows the possibility of identifying defects as a function of structure depth. Additionally, the thesis outlines methods of image fusion of high-resolution and spectral images to most appropriately demonstrate the obtained data.
|
|
|
Tomografická analýza polovodičových struktur metodou FIB-SIMS
Mičulka, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Práce se zabývá tomografickou analýzou struktury prokovů pomocí metody FIB-SIMS pro elektrotechnický průmysl. Pomocí fokusovaného iontového svazku dochází v řezech k odprašování materiálu ze vzorku, což umožňuje odhalit vnitřní struktury k povrchovému zkoumání pomocí TOF-SIMS. Vzniká takto sekvence 2D snímků z jednotlivých řezů vzorkem, která je použita k tomografické rekonstrukci struktury prokovu. Je pojednáváno o optimalizaci metody FIB-SIMS aplikováním kyslíkového iontového svazku pro zvýšení iontového výtěžku a redukci artefaktů. Práce taky pojednává o pozorované nestabilitě emisního proudu bismutových iontů ze zdroje LMIS.
|
host ::
RSS.