|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
|
|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
|
|
Návrh zdroje atomů uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v UHV
Čalkovský, Vojtěch ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části je stručně popsána problematika růstu epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část je věnována grafenu, popisu jeho vlastností, metodám výroby, zejména molekulární svazkovou epitaxí. Ve třetí části jsou stručně popsány různé metody detekce a analýzy atomárních svazků. V praktické části této bakalářské práce byl proveden návrh, příslušné numerické výpočty v programu Simion 8.0 a EOD a následná konstrukce uhlíkového atomárního zdroje. V závěru práce jsou popsány dosažené výsledky.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Optimalizace zdroje atomů uhlíku pro růst grafenových vrstev metodou MBE
Liška, Petr ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).
|
|
|
Preparation of low-dimensional III-V semiconductors
Stanislav, Silvestr ; Detz, Hermann (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
The diploma thesis deals with the preparation of nanostructures from indium arsenide (InAs) using the molecular beam epitaxy (MBE) method. Emphasis is placed on the production of structures in the form of nanowires on a silicon substrate. The introductory part of the thesis describes the motivation for the study of III-V semiconductors and specifically InAs. The following chapters explain two basic principles of nanowire formation. The experimental part of the work discusses the possibility of preparing an indium catalyst for self-seeded InAs nanowire growth in a specific MBE apparatus. The following part presents the results of InAs nanowires growth via the selective area epitaxy (SAE) mechanism. The nanowires were fabricated on a substrate with thermally decomposed silicon dioxide and on a substrate with a lithographically prepared silicon dioxide mask.
|
|
|
Optimalizace zdroje atomů uhlíku pro růst grafenových vrstev metodou MBE
Liška, Petr ; Bartošík, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá vývojem a optimalizací zdroje atomárních svazků atomů uhlíku o termální energii (0,1÷1 eV). Tyto atomární svazky se jeví jako vhodné pro růst grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua, jelikož by bylo pomocí nich možné, díky vysoké čistotě prostředí, vytvářet grafenové struktury o vysoké kvalitě. První část práce obsahuje pojednání o grafenu a o metodě epitaxe z molekulárních svazků. Druhá část je věnována popisu sestavování a optimalizaci atomárního zdroje uhlíku, která je uzavřena shrnutím získaných výsledků při zkoumání deponovaných uhlíkových vrstev na různých substrátech (Cu, Ge, Al2O3, SiO2).
|
|
|
Příprava InAs nanodrátů metodou MBE
Stanislav, Silvestr ; Maniš, Jaroslav (oponent) ; Musálek, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou InAs nanodrátů na křemíkovém substrátu metodou molekulární svazkové epitaxe. Důraz je kladen na výrobu nanodrátů mechanismem Vapour-Liquid-Solid za použití zlatých katalytických nanočástic. V úvodní části práce jsou popsány mechanismy růstu nanodrátů a metody používané k jejich výrobě. Text dále pojednává o krystalové struktuře InAs a možnostech dopování nanodrátů. V praktické části práce jsou popsány provedené depozice a vliv růstových podmínek na mechanismus růstu nanodrátů a jejich výslednou morfologii.
|
|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na grafenový substrát
Hammerová, Veronika ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje depozici Ga a GaN struktur na grafenový substrát vyrobený metodou mechanické exfoliace. Mechanická exfoliace byla provedena novou metodou použitím DGL Gel-Filmu s kineticky kontrolovanou adhezí. Gálium je deponované metodou molekulární svazkové epitaxe pomocí efuzní cely za UHV podmínek. Pro vznik GaN bylo nadeponované Ga dále nitridované. Struktury byly zkoumané pomocí optického mikroskopu, SEM, Ramanovy spektroskopie a fotoluminiscence.
|
host ::
RSS.