Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 11 záznamů.  1 - 10další  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Study of photovoltaic nanostructures using microscopy methods
Hertl, Vít ; Valenta,, Jan (oponent) ; Fejfar, Antonín (vedoucí práce)
At the beginning this master's thesis lays brief fundamentals to physics of solar cells, where the main processes influencing the sunlight-to-electrical energy conversion efficiency are mentioned. After that the literature research is presented giving overview of photovoltaic nanostructures (e.g. nanowires, nanocrystals), which allow to increase the efficiency of the solar cells when implemented. Further, the experimental characterization techniques of the photovoltaic nanostructures are presented, focused especially at correlative SEM and AFM, conductive AFM, EBIC and microscopical electroluminescence measurements. In the experimental part the results obtained from the following samples are presented: Microcrystalline silicon structures, the sample of interdigitated back-contact Si heterojunction solar cell (IBC-SHJ from project NextBase) and V-pits in the sample with InGaN/GaN quantum wells. Electroluminescence measurement was performed on the III-V semiconductors (InGaP, GaAs). Some characteristics of the III-V tandem solar cells that are hard to obtain by ordinary methods were computed from electroluminescence. Finally, the EBIC and microscopical electroluminescence measurements were compared for IBC-SHJ solar cell. Experiments on microcrystalline silicon revealed division of two current routes; through the AFM tip and into the sample with the electron beam serving as the current source.
Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC
Davidová, Lenka ; Máca, Josef (oponent) ; Čudek, Pavel (vedoucí práce)
Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat.
Studium rozhraní grafen/křemík užitím metody EBIC
Hammerová, Veronika ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Táto bakalárska práca sa zameriava na štúdium rozhrania grafén/kremík nachádzajúcom sa na solárnom článku s grafénovou vrstvou. Toto rozhranie bolo študované pomocou metódy EBIC a Ramanovej spektroskopie. Solárne články s grafénovou vrstvou boli vyrobené použitím elektrónovej litografie, chemického leptania a grafénu vyrobeného metódou CVD. Práca popisuje výrobu solárnych článkov s grafénovou vrstvou, metódu EBIC meranú pomocou SEM-u a analýzu zmien rozhrania grafén/kremík zapríčinených osvietením elektrónovým lúčom pomocou Ramanovej spektroskopie. V teoretickej časti je popísaný p-n prechod a Schottkyho prechod na solárnom článku, grafén a jeho výroba, ako aj základy metódy EBIC.
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.
Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Golda, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Špinka, Jiří (vedoucí práce)
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
Study of photovoltaic nanostructures using microscopy methods
Hertl, Vít ; Valenta,, Jan (oponent) ; Fejfar, Antonín (vedoucí práce)
At the beginning this master's thesis lays brief fundamentals to physics of solar cells, where the main processes influencing the sunlight-to-electrical energy conversion efficiency are mentioned. After that the literature research is presented giving overview of photovoltaic nanostructures (e.g. nanowires, nanocrystals), which allow to increase the efficiency of the solar cells when implemented. Further, the experimental characterization techniques of the photovoltaic nanostructures are presented, focused especially at correlative SEM and AFM, conductive AFM, EBIC and microscopical electroluminescence measurements. In the experimental part the results obtained from the following samples are presented: Microcrystalline silicon structures, the sample of interdigitated back-contact Si heterojunction solar cell (IBC-SHJ from project NextBase) and V-pits in the sample with InGaN/GaN quantum wells. Electroluminescence measurement was performed on the III-V semiconductors (InGaP, GaAs). Some characteristics of the III-V tandem solar cells that are hard to obtain by ordinary methods were computed from electroluminescence. Finally, the EBIC and microscopical electroluminescence measurements were compared for IBC-SHJ solar cell. Experiments on microcrystalline silicon revealed division of two current routes; through the AFM tip and into the sample with the electron beam serving as the current source.
Advanced Structural Analysis Of Silicon Solar Cells
Papež, Nikola
The study investigates the structural imperfections of photovoltaic cells based on polycrystalline silicon. Experimental characterization focuses in particular on the degradation and defects analysis. Two modern techniques were used – scanning electron microscopy (SEM) with electron beam induced current (EBIC) and 3D digital optical microscopy. The properties and range of cell defects that can significantly affect its function were characterized with this inspection and failure Analysis.
Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC
Davidová, Lenka ; Máca, Josef (oponent) ; Čudek, Pavel (vedoucí práce)
Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat.
Polovodičové struktury, metoda nábojového sběru
Golda, Martin ; Čudek, Pavel (oponent) ; Špinka, Jiří (vedoucí práce)
Práce pojednává o studiu struktur polovodivého křemíku. Popisuje vlastnosti tohoto prvku a vytvoření polovodiče typu P a N, dále se zabývá typy poruch krystalické mřížky. Zabývá se popisem metod sledování poruch v polovodiči, stanovení vlastností polovodičů tj. metodou EBIC, EBIV a CC, které jsou využívány k analýze polovodičových součástek a materiálů. Zjišťování vlastností křemíkových součástek probíhá pomoci generace nosičů náboje ve vzorku, vloženého do komory rastrovacího elektronového mikroskopu dopadajícími vyskoenergiovými elektrony a následným sběrem naindukovaného náboje na PN přechodu. Pomocí dat získaných metodou EBIC a CC byly vyhodnoceny difúzní délka a doba života elektronů.
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 11 záznamů.   1 - 10další  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.