|
LPE Growth of III-V Semiconductors from rare-earth Treated Melts
Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
We focus on the characterization of InP and InGaAsP layers prepared by liquid phase epitaxy with rare-earth admixtures. We applied photoluminescence spectroscopy (PL), capacitance-voltage measurements, and secondary ion mass spectroscopy in order to explain: (i) the gettering effect and conductivity crossover of InP layers for Pr treated samples, (ii) narrowing of the PL and elecroluminescent spectra of the active InGaAsP region of a double-heterostructure LED.
|
|
Films of Metal Nanoparticles Deposited on Semiconductors by Electrophoresis: Technology and Characterization
Žďánský, Karel ; Zavadil, Jiří ; Kacerovský, Pavel ; Kostka, František ; Lorinčík, Jan ; Černohorský, O. ; Fojtík, A. ; Müller, M. ; Kostejn, M.
Layers of nanoparticles in micelle enclosures were deposited on InP substrates by electrophoresis from isooctane colloid solutions containing Pd or Ag nanoparticles. The layers were investigated by SIMS, low-temperature photoluminescence spectroscopy and topography, absorption spectroscopy, Raman spectroscopy and sensitivity to hydrogen. Photoluminescence of InP was enhanced by the layers of Pd or Ag nanoparticles. Schottky barriers made on the n-type InP with layers containing Pd nanoparticles showed significant sensitivity to hydrogen in contrast to those containing Ag nanoparticles.
|
| |
| |
|
Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny
Grym, Jan ; Procházková, Olga ; Zavadil, Jiří ; Žďánský, Karel
Je známo, že přidáním prvků vzácných zemin do růstové taveniny lze získat LPE vrstvy sloučenin AIIIBV vysoké čistoty. Každý z těchto prvků však vykazuje jedinečné chování. Nízké přídavky Tb, Dy, Tm a Pr vedou ke getraci mělkých donorů a růstu čistých vrstev vodivosti typu n. Při překročení určité koncentrace dochází ke změně vodivostního typu. Přídavek Tm na InP:Fe substrátech má za následek konverzi epitaxní vrstvy do semiizolačního stavu kvůli difuzi Fe zprostředkované vzácnou zeminou.
|
| |
| |
|
Preparation and characterisation of chalcogenide glasses
Ležal, Dimitrij ; Zavadil, Jiří ; Poulain, M.
Chalcogenide glasses systems AS-S, As-Se, As-S-Se and Ge-Se-Te have been prepared and characterised by absorption spectroscopy, scanning electron microscopy and photoluminescence. Photoluminescence spectra have been measured in wide temperature range and the role of multiphonon transitions in mediating the inner 4f-4f electronic transitions was demonstrated. Peculiar Pr related band at 1600 nm has been found in some samples.
|
| |
| |