|
|
STM study of adsorption and mobility of phtalocyanine molecules on passivated silicon surfaces at lower temperatures
Szabo, Michal ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Práca sa zaoberá prípravou experimentu pre štúdium adsorpcie molekúl ftalocyanínu na povrchu kremíka pasivovaného cínovou rekonštrukciou. Hlavnou používanou experimentálnou technikou je zobrazovanie povrchu skenovacím tunelovým mikroskopom (STM). Okrem úvodu do študovanej problematiky sa práca venuje metóde a konštrukcii STM, charakteristike experimentálneho ultravakuového (UHV) systému a jednotlivým krokom pri príprave vzoriek pre meranie v STM. V rámci prípravy vzoriek boli prvýkrát na inovovanom zariadení testované všetky potrebné operácie, prevedené kalibrácie žíhania kremíkového substrátu a depozičnej rýchlosti. Pomocou STM bola skúmaná štruktúra povrchu Si(111) 7×7 a spresnené podmienky pre prípravu v novom systéme. Pomocou STM boli vyhodnotené výsledky pri optimalizácii prípravy pasivovaného povrchu. Získané výsledky sú dôležité pre pokračovanie experimentov v rámci výskumu v oblasti prípravy molekulárnych štruktúr na povrchu kremíka.
|
|
|
Modification of silicon surfaces for selective adsorption
Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Práce se zabývá adsorpcí ftalocyaninů na cínem a indiem pasivovaných površích křemíku Si(111) s rekonstrukcí √3 × √3 při pokojové teplotě. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie byly získány atomárně rozlišené obrázky povrchu. Molekuly na těchto površích adsorbují zejména na křemíkových substitučních defektech. Lokální hustota stavů (LDOS) silně adsorbovaných molekul byla změřena skenovací tunelovou spektroskopií. Zkoumán byl původ rozmazaného ("fuzzy") zobrazování ftalocyaninových molekul sedících na křemíkovém substitučním dvojdefektu. Byla změřena napěťová závislost doby života dvou pozorovaných stavů, mezi kterými se přepíná "fuzzy" molekula pomocí analýzy fluktuací tunelového proudu. Diskutovali jsme, jakým způsobem ovlivňují přepínání vnější parametry měření. Přisuzujeme "fuzzy" chování molekuly adsorbované na dvojdefektu a změřené fluktuace tunelového proudu nad molekulou pohybu molekuly v potenciálové dvojjámě. Navrhli jsem dvě možnosti pohybu v dvojjámě, které nejvíce odpovídají naměřeným informacím o molekule, a jeví se nám proto jako nejpravděpodobnější.
|
|
|
Influence of Si surface passivation on growth and ordering of nanostructures
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; de la Torre, Bruno (oponent)
Kremík je v súčasnosti najpoužívanejší polovodičový materiál, ktorého aplikácie siahajú od solárnych článkov a senzorov po elektronické zariadenia. Funkcionalizácia povrchu pomocou molekulárnych vrstiev môže vylepšiť vlastnosti kremíkového povrchu a môže zmenšiť veľkosť funkčných prvkov elektronických zariadení. Avšak, nájdenie spôsobu akým molekuly naviazať na konkrétne miesta na povrchu a nájdenie spôsobu akým molekuly usporiadať na kremíkových povrchoch nie je ľahké kvôli vysokej reaktivite kremíku. V tejto práci používame skenovací tunelový mikroskop, ab-initio výpočty a kinetické Monte Carlo simulácie a študujeme adsorpciu organických molekúl na čistom a táliom pasivovanom povrchu Si(111). Ukazujeme, že polarita molekúl má veľký dopad na spôsob naviazania molekúl na čistý povrch. Naše pozorovania dokazujú, že v porovnaní s čistým povrchom sú molekuly a jedno-atomárne adsorbáty na pasivovanom povrchu výrazne mobilnejšie. Zvýšená mobilita molekúl spôsobuje vytvorenie 2D plynu na povrchu a umožňuje tvorbu samousporiadaných molekulárnych štruktúr. V práci navrhujeme novú metódu pre priame pozorovanie 2D molekulárneho plynu a ukazujeme, že pomocou nehomogénneho elektrického poľa je možné kontrolovať fázu molekúl na povrchu, v prípade že tieto molekuly na seba viažu dipólový moment. 1
|
|
|
Vliv snižování teploty povrchu křemíku Si(100) na morfologii růstu kovu při malém pokrytí
Doležal, Jiří ; Ošťádal, Ivan (vedoucí práce) ; Matvija, Peter (oponent)
Práce se zabývá studiem růstu cínových řetízků na povrchu Si(100) připravovaných napařováním při teplotách nižších než pokojová. Pomocí skenovací tunelové mikroskopie (STM) byly získány obrázky povrchu, které umožnily určení růstových charakteristik. Srovnání charakteristik pro různé teploty a dvě různá množství deponovaného kovu ukazuje, že ve všech studovaných případech převládá při růstu stejný mechanizmus. Je popsán a diskutován vliv ohřívání povrchu na rozdělení délek řetízků připravených při nízké teplotě. Dále je diskutován vliv Cdefektů na růst řetízků a tvar škálovací funkce pro rozdělení délek. Byla ověřena použitelnost aparatury chlazené kapalným dusíkem k nízkoteplotním měřením a úspěšně testován nový systém čerpání dusíku do kryopanelu uvnitř STM aparatury.
|
|
|
Studium interakce adsorbátu s pasivovanými povrchy Si pomocí STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Švec, Martin (oponent)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
|
|
Interaction of metal atoms with metastable reconstructions of the Si(111) surface studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce) ; Ošťádal, Ivan (oponent)
Metódou STM je skúmaný proces rekonštrukcie povrchu Si(111) po naparení tália a jeho následnej desorbcii. Je nameraná závislosť pokrytia povrchu táliom na teplote a z určenej závislosti sú vyvodené vhodné podmienky pre tvorbu povrchu s čo najvyšším zastúpením metastabilných rekonštrukcií (hlavne (5x5) a (9x9)). Na takto vytvorený povrch sú následne naparené rôzne množstvá Al a je pozorovaná možnosť vzniku magických klastrov a iných zaujímavých štruktúr. Sú navrhnuté možné štruktúrne modely pre magické klastre na rekonštrukcii (5x5). V rámci práce je popísaná aparatúra použitá pri meraniach, sú popísané jednotlivé meracie postupy a fyzikálne princípy spojené s prevádzkou STM.
|
|
|
Interaction of adsorbates with passivated Si surfaces studied by STM
Matvija, Peter ; Kocán, Pavel (vedoucí práce)
Skenovacia tunelová mikroskopia bola použitá na štúdium morfolgie táliovej vrstvy v rôznych štádiách desorbcie Tl z povrchu Si(111) a na štúdium správania sa rôznych adsorbátov na povrchu Si(111)/Tl-(1 × 1). Využitie táliovej vrstvy na pasivásiu povrchu Si(111) bolo bližšie skúmané pre rôzne druhy adsorbátov. Mangánové, hliníkové, indiové a cínové vrstvy, ktoré boli priamo deponované na Si(111)-(7 × 7), boli porovnané s vrstvami pripravenými depozíciou adsorbátu na pasivačnú vrstvu po následnej termálnej desorbcii tália z povrchu (po ohreve na teplote ≈ 400◦ C). Skúmané adsorbáty vykazovali známky extrémne vysokej difuzivity a slabej väzby k Si(111)/Tl-(1 × 1). Pasivačná vrstva bola voči ad- sorbátom stabilná. Aplikácia tália ako surfaktantu spôsobovala zníženie teploty a pokrytia potrebného na prípravu rekonštrukcií pozorovaných na povrchoch pripravených priamou depozíciou adsorbátu. 1
|
host ::
RSS.