|
|
Selektivní růst GaN na SiN
Hulva, Jan ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá selektivním růstem gallia a gallium nitridu na substrátech nitridu křemíku. Depozicí nízkoenergiových dusíkových iontů je na křemíkovém substrátu vytvořena vrstva nitridu křemíku (SiN). Na této vrstvě jsou litografickou metodou lokální anodické oxidace (LAO) připraveny oxidové struktury. Tyto substráty mohou být dále modifikovány odleptáním oxidových struktur kyselinou fluorovodíkovou. Modifikované substráty jsou použity pro depozici gallia nebo gallium nitridu v podmínkách ultravysokého vakua. Poté je studováno uspořádávání deponovaného materiálu v oblastech povrchů modifikovaných LAO. Chemické složení vrstev je studováno pomocí rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a úhlově závislé XPS (AR-XPS), morfologie povrchů je měřena pomocí mikroskopu atomárních sil (AFM).
|
|
|
Preparation and analysis of nanostructures in UHV conditions
Gloss, Jonáš ; Spousta, Jiří (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
The purpose of this thesis was to study the preparation and analysis of nanostructures in Ultra High Vacuum (UHV) conditions. The theory section has a strong emphasis on Gallium Nitride (GaN) nanostructures. These were then analyzed by Scanning Tunneling Microscope (STM). In order to be able to analyze prepared samples in UHV STM, electrochemical etching of tungsten wire was carried out. This thesis gives an account on how to obtain tungsten tips for STM. The section dealing with tungsten tip fabrication includes description of electrochemical etching principle. Scanning Electron Microscope (SEM) images of etched tips and their further sharpening by Focused Ion Beam (FIB) was carried out. In this work a method for in-situ UHV STM tip revitalization by electron annealing is proposed. It was concluded that it is possible to routinely obtain tungsten tips with apex radius in the order of nanometers.
|
|
|
Měření fotoluminiscenčních vlastností ultratenkých vrstev
Metelka, Ondřej ; Mach, Jindřich (oponent) ; Šamořil, Tomáš (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce stručně vykládá principy a druhy luminiscence. V následující první rešeršní studii se pojednává také o zařízeních použitelných při fotoluminiscenčních experimentech, včetně jejich uspořádání. V druhé rešerši je studován vliv vlastností galium nitridových (GaN) (ultra) tenkých vrstev a jiných struktur připravených různými způsoby na tvar jejich fotoluminiscenčních spekter. V této práci je dále popsána optimalizace fotoluminiscenční aparatury umístěné na Ústavu fyzikálního inženýrství na VUT pro měření fotoluminiscenčních spekter v UV oblasti světelného záření. Úprava se týká také rozšíření měření i za nízkých teplot (návrh a konstrukce vlastního kryostatu). Závěrem je provedení testovacích měření k zjištění vlivu různých nastavení aparatury na výsledné měřené fotoluminiscenční spektrum.
|
|
|
Rekonstrukce iontového děla a jeho aplikace pro tvorbu tenkých vrstev a nanostruktur
Novák, Tomáš ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce se zabývá úpravou a experimentálním využitím iontového zařízení, které vytváří a transportuje svazek iontů dusíku o energiích desítek až stovek eV. V kombinaci s galliovou efúzní celou toto zařízení slouží k depozici tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN). Zkrácením jeho iontově-optické části byl výrazně zvýšen proud dusíkového iontového svazku. Zachování ultravakuových podmínek v depoziční komoře je zajištěno diferenciálním čerpáním systému. Optimalizací provozních parametrů upraveného iontového děla byly nalezeny profily proudové hustoty iontového svazku vhodné k experimentům s depozicí GaN. Depoziční rychlost systému se díky zesílení iontového svazku zvýšila z desetin nm/h na více než 10 nm/h. Jako substrát pro depozici slouží k experimentům popsaným v této práci monokrystalický křemík (111). Při depozicích GaN byl sledován vliv množství dopadajícího gallia a iontů dusíku na růst vrstev. Dále byl zkoumán vliv zlatých nanočástic nanesených na substrát na růst GaN vrstvy. Vzorky byly analyzovány elektronovým mikroskopem a mikroskopem atomárních sil. Bylo pozorováno několik specifických morfologií deponovaných vrstev.
|
|
|
Studium růstu ultratenkých vrstev Au
Beránek, Jiří ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této práce je studium růstu ultratenkých vrstev zlata. Vrstvy byly připraveny metodou molekolární svazkové epitaxe (Molecular beam epitaxy - MBE) v podmínkách ultravysokého vakua na různě modifikované křemíkové substráty za různých teplot. Následná analýza získaných vzorků byla zaměřena na zjištění tloušťky vrstev (ToF - LEIS) , morfologii (SEM, AFM) a chemické složení vzniklého povrchu (XPS). Vyhodnocení naměřených dat přispívá k popisu a porozumění některým procesům, probíhajícím při depozici zlata a po následném vystavení již hotového vzorku vzorku vysokým teplotám. Dosažené výsledky zároveň poskytují východisko dalším experimentům a potenciálním aplikacím.
|
|
|
Příprava ultratenkých vrstev SiN
Dvořák, Martin ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřena na realizaci, testování a kalibrování efuzní cely poskytující atomární svazky Si o termální energii (0,1 - 1 eV). Tyto svazku jsou užity k přípravě ultratenkých vrstev Si a SiN. Je zpracována rešeršní studie dosavadních poznatků o nitridu křemíku a jeho aplikaci v polovodičovém průmyslu. Dále byly provedeny první experimenty s depozicemi ultratenkých vrstev Si a SiN. Tyto vrstvy byly analyzovány metodami rentgenová fotoelektronová spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM).
|
|
| |
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Tihlařík, Jan ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Práce se zabývá problematikou tvorby iontových svazků. Je zde popsán vliv iontové optiky na formování svazku a růst ultratenkých vrstev GaN, jakož i optimalizace zdroje k depozici a měření vlastností iontového svazku. V rámci práce byly provedeny depozice GaN ultratenkých vrstev na substrát Si(111)dH za pokojové teploty pro různá nastavení elektrických potenciálů na elektrodách iontově-atomárního zdroje.
|
|
|
Modernizace aparatury pro depozici pomocí iontového naprašování
Páleníček, Michal ; Mach, Jindřich (oponent) ; Bábor, Petr (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem a realizací aparatury umožňující zakládání vzorků do vakua bez nutnosti zavzdušnění depoziční komory. Jsou diskutovány teoretické základy vakuových technologií. Dále je práce zaměřena na popis stávající depoziční komory a její princip. Největší část práce se zabývá popisem návrhů aparatury pro zakládání vzorků. První návrh, od kterého se opustilo, je popsán jen stručně, u druhého návrhu jsou rozepsány jednotlivé kroky a řešení. V práci je i jednoduchý návod na zakládání vzorků. Na závěr jsou prezentovány výsledky simulací chladícího sytému vzorků a průhybu magnetické tyče.
|
|
|
Návrh a konstrukce efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev
Křápek, Ondřej ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem, vyhotovení výkresové dokumentace a konstrukcí efuzní cely pro přípravu ultratenkých vrstev různých materiálů v prostředí ultravysokého vakua. Po vyrobení součástí a smontování efuzní cely byla umístěny do ultra vakuové komory (p ~ 10-5 Pa), kde byla provedena první testovací depozice ultratenké vrstvy stříbra na Si (111). Tento vzorek byl analyzován rentgenovou fotoelektronovou spektroskopii a atomovou silovou mikroskopii.
|
host ::
RSS.