|
|
Depozice Ga a GaN nanostruktur na vodíkem modifikovaný grafenový substrát
Bárdy, Stanislav ; Váňa, Rostislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
V tejto práci sme sa venovali štúdiu gália na graféne. Depozície Ga boli vykonané použitím Molekulárnej zväzkovej epitaxie. Pozorovali sme Ramanovo zosilnenie a posun píkov spôsobený individuálnymi Ga ostrovčekmi. Simulácia potvrdila náš predpoklad, že zosilnenie je plazmonickej povahy, ktorá je zároveň hlavným mechanizmom Povrchovo-zosilnenej Ramanovej spektroskopie. Ďalším výsledkom je hydrogenácia grafénu pred Ga depozíciou má vplyv na štruktúru vzorky po depozícii a znižuje difúznu dĺžku atómov Ga.
|
|
|
Depozice Ga nanostruktur na grafenové membrány
Severa, Jiří ; Mikulík, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se zabývá přípravou grafenových membrán pro depozici atomů galliametodou molekulární svazkové epitaxe. V první části jsou nejprve popsány vlastnostigrafenu a metody jeho výroby. Druhá část je zaměřena na grafenové membrány, jejichspecifické vlastnosti, aplikace a způsoby výroby. Třetí část práce popisuje teorii růstutenkých vrstev. Praktická část práce je zaměřena na přípravu grafenových membrán,která spočívala v překrytí mikrodutin v křemíkovém substrátu grafenovou vrstvou. ktomu byl použit mechanicky exfoliovaný a CVD grafen Na takové membrány bylo následnědeponováno gallium technikou molekulární svazkové epitaxe a in situ pozorována pomocírastrovací elektronové mikroskopie.
|
|
|
Ga modifikované Schottkyho solární články s rozhraním Grafen/Si
Hlavička, Ivo ; Lišková, Zuzana (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Obsahem této bakalářské práce je výroba, charakterizace a úprava Schottkyho solárních článků s rozhraním grafen-Si. Nanesením grafenu vyrobeného metodou CVD na křemíkový substrát s elektrodami bylo vytvořeno základní Schottkyho rozhraní solárního článku. Toto rozhraní grafen-Si bylo poté modifikováno žíháním v UHV a byla stanovena závislost účinnosti na teplotě. Dále byly studovány vlivy atomu galia na Schottkyho přechod. Proměřením voltampérových charakteristik byla srovnána účinnost takto vyrobených a upravených článků, načež byla provedena analýza ochuzené zóny Schottkyho přechodu pomocí metody X-EBIC.
|
|
|
Depozice CaF2 ultratenkých vrstev na grafenový substrát
Caesar, Radek ; Nebojsa, Alois (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato diplomová práce se věnuje přípravě a analýze ultratenkých vrstev CaF2 (fluoridu vápenatého). CaF2 byl deponován napařováním v podmínkách UHV za teploty substrátu v rozsahu 20 °C až 400 °C. Depozice probíhala na Si(111) substrát s nativní vrstvou SiO2 a na substrát doplněný o CVD grafenovou vrstvu. Připravené ultratenké vrstvy byly analyzovány pomocí metod XPS, AFM a SEM. V rámci této práce byly rovněž navrhnuty čtyři různé nosiče vzorku pro účely depozice.
|
|
|
Návrh zdroje atomů uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v UHV
Čalkovský, Vojtěch ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá návrhem atomárního zdroje uhlíku pro přípravu grafenových vrstev v podmínkách ultravysokého vakua. V první části je stručně popsána problematika růstu epitaxních vrstev, teorie atomárních svazků a teorie sublimace. Druhá část je věnována grafenu, popisu jeho vlastností, metodám výroby, zejména molekulární svazkovou epitaxí. Ve třetí části jsou stručně popsány různé metody detekce a analýzy atomárních svazků. V praktické části této bakalářské práce byl proveden návrh, příslušné numerické výpočty v programu Simion 8.0 a EOD a následná konstrukce uhlíkového atomárního zdroje. V závěru práce jsou popsány dosažené výsledky.
|
|
| |
|
|
Optimalizace iontového zdroje se sedlovým polem
Zálešák, Marek ; Voborný, Stanislav (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Cílem mé bakalářské práce bylo provést rešeršní studii na téma iontových zdrojů a jejich aplikací. Dalším cílem bylo vytvořit modelové simulace iontového zdroje se sedlovým polem v programu EOD a následně se pokusit zdroj optimalizovat. Optimalizace spočívala ve dvou hlavních bodech. Zprovoznit iontový zdroj k prvním měření a navrhnout vychylovací soustavu iontového svazku.
|
|
|
Detekce UV záření pomocí Grafen/GaN struktur
Kostka, Marek ; Piastek, Jakub (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá výrobou a studiem UV senzoru založeného na strukturách galia nitridu na grafenovém substrátu. Senzor využívá vysokou pohyblivost nosičů náboje v grafenu a citlivost GaN nanokrystalů na UV záření. Tato kombinace se jeví jako vhodná pro oblast UV senzorů, protože využití schopností obou materiálů vede k vysoké citlivosti takto provedených senzorů. První část práce je věnována grafenu, nitridu galia a heterostruktuře grafen/GaN, jejich popisu a výrobě. Druhá část obsahuje proces výroby senzoru a popis jeho optických a elektrických vlastností při analýze metodou fotoluminiscence a transportních vlastností.
|
|
|
Vývoj atomárních a iontových svazkových zdrojů
Šamořil, Tomáš ; Lencová, Bohumila (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Úkolem diplomové práce bylo provedení optimalizace iontově-atomárního zdroje, která povede ke zlepšení vlastností iontově-atomárního svazku. Zlepšení parametrů svazku zvyšuje účinnost iontově-atomárního zdroje při depozicích ultratenkých gallium nitridových vrstev (GaN), jež jsou důležité pro výzkum v oblasti mikroelektroniky a optoelektroniky. Po uskutečnění optimalizace byly při nižších teplotách substrátu (
|
|
| |
host ::
RSS.