|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Štekl, Ivan (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe
Šedivý, Lukáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Šíma, Vladimír (oponent)
Název práce: Difúze přirozených defektů a příměsí v CdTe/CdZnTe. Autor: Lukáš Šedivý e-mail autora: luky.sedivy@seznam.cz Katedra (ústav): Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Vedoucí bakalářské práce: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc. e-mail vedoucího: belas@karlov.mff.cuni.cz V předložené práci byl studován vliv defektní struktury na elektrické a detekční vlastnosti materiálu CdTe. Byla snaha kompenzovat vliv strukturních defektů v mate- riálu žíháním v Cd a Te parách při zachování dobrých parametrů pro detekci rentge- nového a γ záření. Materiál byl charakterizován pomocí měrného elektrického odporu, koncentrace a pohyblivosti nosičů. Též byly pomocí infračerveného mikroskopu studo- vány telurové a kadmiové inkluze v materiálu. Byly také zkoumány statické i dynamické vlastnosti defektní struktury ve vysokých teplotách a definovaných tlacích Cd. Experimentálně byly stanoveny hodnoty chemic- kých difúzních koeficientů popisujících dynamické vlastnosti těchto defektů. Klíčová slova: monokrystal CdTe, strukturní defekty v polovodičích, žíhání v parách kadmia a teluru, chemický difúzní koeficient, detektory γ−záření. 1
|
|
|
Ovlivnění efektivity sběru náboje v detektorech záření laserovými pulsy.
Betušiak, Marián ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent)
Hlavným cieľom tejto diplomovej práce je charakterizácia transport náboja v CdZnTe radiačných detektoroch a stúdia vplyvu osvetlenia detektoru na transport náboja.Transportné vlastnosti sú zmerané pomocou metódy laserom-indukovaných tranzientných prúdov a simulácia Monte Carlo bola použitá na fitovanie meraných prúdových waveform. V tejto práci boli skúmané vlastnosti detektoru pripraveného semi-izolačného monokryštálu CdZnTe s platinovými Schottkyho kontaktami za tmy v nepolarizovanom a polarizovanom stave. Vlastnosti detektoru boli tiež skúmané s kontinuálnym nadgapovým LED osvetlením anódy a katódy.
|
|
|
Structural defects in II-VI semiconductors
Šedivý, Lukáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Hulicius, Eduard (oponent) ; Schneeweiss, Oldřich (oponent)
Název práce: Strukturní defekty v II-VI polovodičích Autor: Lukáš Šedivý Department: Fyzikální ústav Univerzity Karlovy Školitel: Doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav Univerzity Karlovy, Matematicko- fyzikální fakulta, Univerzita Karlova Abstrakt : Chlórem dopovaný mono-krystal Teluridu kademnatého CdTe je perspektivní materiál pro výrobu nechlazených detektorů vysokoenergetického záření především pro jeho vysoký absorpční koeficient, vysoký odpor za pokojové teploty, dobrou elektron/děrovou pohyblivost a příznivý µτ produkt. Cílem této práce je zmapovat vliv systematického žíhání v parách Cd a Te na výslednou defektní strukturu krystalu. Přičemž první experi- mentální kapitola je věnována metodice odstranění inkluzí běžně přítomných v CdTe : Cl, které významně limitují detekční schopnosti materiálu. Následující experimentální kapitoly jsou zasvěceny výzkumu bodových defektu v CdTe : Cl. V práci je představena metoda půlení intervalu, která umožňuje nastolit/znovunastolit vysokoodporový stav krystalu. Vliv bodových defektu v termodynamické rovnováze na galvanomagnetické charakteristiky krystalu je studován pomocí in-situ měření Hallova jevu za vysokých teplot. Změřená ex- perimentální data...
|
|
|
Transport and optical properties of CdTe/CdZnTe single crystals
Uxa, Štěpán ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Humlíček, Josef (oponent) ; Drbohlav, Ondřej (oponent)
Název práce: Transportní a optické vlastnosti monokrystalů CdTe/CdZnTe Autor: Štěpán Uxa Katedra: Fyzikální ústav UK Vedoucí disertační práce: doc. Ing. Eduard Belas, CSc., Fyzikální ústav UK Abstrakt: Práce je zaměřena na studium vnitřního elektrického pole a teplotní závislosti absorpční hrany vzorků CdTe a CdZnTe. V první části práce je studováno elektrické pole rovinných detektorů záření pomocí metody přechodných proudů (TCT). Je předsta- vena ucelená teorie propojující TCT měření s měřeními účinnosti sběru náboje (CCE) studovaného detektoru, vedoucí ve výsledku k vyvinutí dvou nových iteračních metod pro zpracování experimentálních dat. Tyto metody mohou být použity vždy, kdy lze vnitřní elektrické pole v detektoru aproximovat lineárních profilem. V druhé části práce jsou před- stavena vysokoteplotní měření propustnosti tenkých vzorků CdTe, z nichž je vyhodnocena teplotní závislost šířky zakázaného pásu. Je to zároveň poprvé, kdy byla taková měření provedena ve zvýšeném tlaku kadmiových par, což významně snižuje sublimaci vzorků během měření. Klíčová slova: CdTe, metoda přechodných proudů, elektrické pole, absorpční hrana, šířka zakázaného pásu
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Pipek, Jindřich ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace proudových závislostí pro detektor s mělkou elektronovou pastí jsou diskutovány. Monte Carlo simulace proudových závislostí je navržena a aplikována na experimentální proudové závislosti změřené pomocí laserem indukované metody tranzientních proudů pro získání transportních parametrů náboje v detektoru jako je profil elektrického pole, driftová pohyblivost a další parametry. Detektory vyrobené z vysoko odporových GaAs a CdZnTe monokrystalů jsou testovány pomocí elektrických, spektroskopických a optických charakterizačních metod.
|
|
|
Charge transport optical characterization in semiconductor radiation detectors
Ridzoňová, Katarína ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Merania foto-voltampérových charakteristík, spektrálnej závislosti fotoprúdu a laserom indukovaných tranzientných prúdov umožňujú výskum povrchových rekombinačných centier, objemových pascových hladín a profilu vnútorného elektrického poľa. V prezentovanej práci boli vyššie spomenutými metódami skúmané n-typové planárne detektory s takmer Ohmickými kontaktmi. Bolo dokázané, že v prípade silne sa absorbujúceho svetla v DC režime osvetlenia neovplyvňuje transportné vlastnosti len povrchová rekombinácia. Musí byť zarátaný aj vplyv priestorového náboja, ktorý vzniká ako dôsledok záchytu nosičov na pascových hladinách. Preto k popisu meraných foto-voltampérových charakteristík boli odvodené nové teoretické modely. Namerané dáta boli fitované novou teóriou, odkiaľ sme získali parametre pohyblivosť a povrchovú rekombináciu.
|
|
|
Charge transport in semiconducting radiation detectors
Pipek, Jindřich ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Tato práce se zaměřuje na studium transportu náboje v polovodičových detektorech záření. Jsou provedeny teoretické výpočty proudových závislostí založené na rovnici kontinuity a drift-difúzní rovnici. Užitečné aproximace proudových závislostí pro detektor s mělkou elektronovou pastí jsou diskutovány. Monte Carlo simulace proudových závislostí je navržena a aplikována na experimentální proudové závislosti změřené pomocí laserem indukované metody tranzientních proudů pro získání transportních parametrů náboje v detektoru jako je profil elektrického pole, driftová pohyblivost a další parametry. Detektory vyrobené z vysoko odporových GaAs a CdZnTe monokrystalů jsou testovány pomocí elektrických, spektroskopických a optických charakterizačních metod.
|
|
|
Ovlivnění efektivity sběru náboje v detektorech záření laserovými pulsy.
Betušiak, Marián ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Oswald, Jiří (oponent)
Hlavným cieľom tejto diplomovej práce je charakterizácia transport náboja v CdZnTe radiačných detektoroch a stúdia vplyvu osvetlenia detektoru na transport náboja.Transportné vlastnosti sú zmerané pomocou metódy laserom-indukovaných tranzientných prúdov a simulácia Monte Carlo bola použitá na fitovanie meraných prúdových waveform. V tejto práci boli skúmané vlastnosti detektoru pripraveného semi-izolačného monokryštálu CdZnTe s platinovými Schottkyho kontaktami za tmy v nepolarizovanom a polarizovanom stave. Vlastnosti detektoru boli tiež skúmané s kontinuálnym nadgapovým LED osvetlením anódy a katódy.
|
host ::
RSS.