999C1a:KJB2065301 - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: 999C1a:KJB2065301

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů Mika, Filip Tématem práce je výzkum jedné vrstvy polovodičové struktury s ohraničenými dopovanými oblastmi pomocí HV a UHV rastrovacího mikroskopu. Cílem práce je prozkoumat tvorbu kontrastu v polovodičích, identifikovat faktory, které ji ovlivňují, a nalézt optimální podmínky zobrazení dopovaných oblastí pro získání závislosti mezi kontrastem a hustotou příměsí. Úplný záznam
	Scanning electron microscopy with low energy electrons Mika, Filip A method of scanning electron microscopy (SEM) of nonconductive specimens, based on measurement and utilisation of the critical energy of electron impact, is described in detail together with examples of its application. The critical energy, at which the total electron yield curve crosses the unit level, is estimated on the base of measurement of the time development in the image signal from beginning of irradiation. The method is programmed and implemented as a module to the controlling software of the micropscope type VEGA, where it secures fast search for the critical energy value. Úplný záznam
	Scanning electron microscopy with low energy electrons Mika, Filip A method of scanning electron microscopy (SEM) of nonconductive specimens, based on measurement and utilisation of the critical energy of electron impact, is described in detail together with examples of its applications. The critical energy, at which the total electron yield curve crosses the unit level, is estimated on the base of measurement of the time development in the image signal from beginning of irradiation. The method is programmed and implemented as a module to the controlling software of the microscope type VEGA, where it secures fast search for the critical energy value. Úplný záznam
	Kvantitativní studium hustoty rozložení dopantu v polovodiči pomocí emise sekundárních elektronů Mika, Filip Úplný záznam
	Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM Mika, Filip ; Frank, Luděk Velikost funkčních detailů v polovodičové struktuře se trvale zmenšuje. Mezi strukturními prvky hrají klíčovou roli lokálně dopované obrazce a existuje tedy potřeba nástrojů umožňujících jejich pozorování. Pro rychlou diagnostiku a kontrolu kvality polovodičů je používán rastrovací elektronový mikroskop se svým širokým rozsahem zvětšení, možností detekovat různé typy signálů, rychlostí sběru dat a minimálním poškozováním preparátu při pozorování, zvláště při nízkých energiích elektronů. Koncentrace dopantu v polovodiči je kvantitativně určována na základě měření úrovně obrazového kontrastu v signálu sekundárních elektronů (SE) mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English