|
|
Užití kovových materiálů pro selektivní růst
Němeček, Tomáš ; Rezek, Bohuslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Povrch Si(100), povrchové fáze Ga a jejich oxidace byly zkoumány pomocí metod XPS a LEED. Byly provedeny studie oxidace substrátu Si(100) a struktury (2x2)-Ga s následným žíháním pro odpaření oxidu gallného. Selektivní růst Ga na mřížkách tvořených SiO2/Si byl mapován s využitím metod SEM a AFM. Bylo zjištěno, že gallium roste uvnitř struktur selektivně. Dále byly analyzovány jednotlivé struktury. Kombinací STM měření a výpočtů DFT se podařila plně určit struktura povrchového oxidu na Ni3Al(111) a na NiAl(110) substrátech. Bylo zjištěno, že struktura povrchového oxidu hlinitého na NiAl(110) netvoří tzv. vzor, a že klastry Fe a Co na něm nerostou uspořádaně. Naproti tomu, oxid hlinitý vytvořený na povrchu Ni3Al(111) vzor tvoří a může být použit pro růst klastrů Fe a Co.
|
|
|
Příprava grafenových vzorků pro experimenty v UHV podmínkách
Mareček, David ; Mach, Jindřich (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce pojednává o elektrické vodivosti grafenu a přípravě grafenového polem řízeného tranzistoru. Teoretická část popisuje elektrické vlastnosti grafenu, jeho přípravu pomocí metody CVD a přenos na SiO_2. Experimentální část této práce se zabývá přípravou grafenového polem řízeného tranzistoru s velkou vzdáleností elektrod. Kapitola se věnuje návrhu držáku vzorku a přivedením kontaktů v UHV podmínkách. Poslední část popisuje naměření závislosti vodivosti grafenové vrstvy na hradlovém napětí se zřetelem na polohu Diracova bodu při úpravě vzorku v UHV podmínkách.
|
|
|
Příprava a charakterizace vzorků pro studium vlivu povrchových plasmonových polaritonů na růst ostrůvků na površích
Závodný, Adam ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a studiem růstu tenkých vrstev kobaltu a termální stabilitou multivrstvy Al2O3/Au/SiO2/Si. Jako substrát pro růst tenkých vrstev byl použit krystalický křemík povrchově upraven dvěma způsoby: SiO2/Si(111) a Al2O3/SiO2/Si(111). Růst vrstev byl prováděn pomocí efuzní cely. Růst kobaltových vrstev je zkoumán v závislosti na depoziční teplotě substrátu, typu substrátu a množství deponovaného materiálu. Připravené vrstvy jsou studovány použitím rentgenové fotoelektronové spektroskopie, rastrovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil.
|
|
|
Výroba nanodrátů do porézního oxidu hliníku pomocí elektrolýzy
Staňo, Michal ; Čechal, Jan (oponent) ; Škoda, David (vedoucí práce)
Práce pojednává o přípravě kovových nanodrátů elektrodepozicí z vodných roztoků solí kovů do pórů nevodivé šablony z porézního oxidu hlinitého. Teoretická část je zaměřena na bottom-up metody přípravy nanodrátů se šablonou, přehled elektrochemie a popis elektrodepozice. Praktická část se soustředí na přípravu nanodrátů (Ag, Cu, Ni-H) pomocí elektrodepozice stejnosměrným i střídavým proudem a geometrickou analýzu vyrobených nanodrátů pomocí rastrovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Zmíněny jsou také defekty komerčních i vyrobených šablon. Dále je diskutováno větvení a shlukování nanodrátů.
|
|
|
Příprava a charakterizace šablon pro výrobu nanovláken
Lednický, Tomáš ; Čechal, Jan (oponent) ; Škoda, David (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce je zaměřená na výrobu šablon oxidu hliníku anodizací čistého hliníku. Teoretická část pojednává o procesu tvorby porézní aluminy a to v podmínkách anodizace a její závislostech na finálních parametrech. Teoretická část je založena především na literární rešerši. Experimentální část je zaměřená na praktickou výrobu porézní aluminy: návrhu aparatury, přípravu hliníku k anodizaci, samotný proces anodizace, modifikaci připravené membrány k dalšímu použití (depozice nanodrátu) a její charakterizaci.
|
|
|
Morfologie ostrůvků germania v přítomnosti gallia a zlata
Pejchal, Tomáš ; Čechal, Jan (oponent) ; Kolíbal, Miroslav (vedoucí práce)
Tato práce se zabývá morfologií ostrůvků germania v přítomnosti zlata, stříbra a gallia, připravených na povrchu Ge(111) pomocí napařování za podmínek UHV. V práci je představena rešerše povrchových rekonstrukcí uvedených kovů na povrchu Ge(111). Je ukázáno, že koncentrace, velikost i tvar ostrůvků závisí na přítomnosti jednotlivých kovů i teplotě depozice. Povrchová struktura a morfologie vzorků byly studovány metodami RHEED a SEM.
|
|
|
Příprava trojvrstev Ag/Co/Ag
Burda, Pavel ; Kolíbal, Miroslav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
Bakalářská práce je věnována přípravě a studiu ultratenkých vrstev stříbra a kobaltu. Z těchto materiálů jsou tvořeny vrstvy na křemíkových substrátech. Substráty tvoří povrchově upravený krystalický křemík (SiO2/Si(111), Si(111) ?H, Si(111) 7×7) a amorfní SiO2 ve formě křemenného skla. Růst vrstev je prováděn pomocí epitaxe molekulárním svazkem (MBE) za využití efuzní cely. Na vzorek připravený z uvedených substrátů je postupně deponována vrstva stříbra, poté kobaltu a stříbra. Tloušťka každé vrstvy je 6 nm. Vrstvy jsou studovány užitím metod rentgenové fotoelektronové spektroskopie (XPS) a mikroskopie atomárních sil (AFM). Typ růstu vrstvy se zásadně liší u různých povrchových úprav substrátu. Výsledkem jsou připravené trojvrstvy Ag/Co/Ag na SiO2/Si(111) a Si(111) 7×7, které lze využít v oblasti plazmoniky a lze magnetickým polem ovlivnit chování povrchových plazmonových polaritonů.
|
|
|
An influence of electron beam on thin oxide films
Kostyal, Michal ; Průša, Stanislav (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
This bachelor work deals with a study of the influence of electron beam of scanning electron microscope on the surface of the SiO2/Si (100) – sample. In the work the electron and atomic force microscopy briefly described. The main objective of experimental part is to describe variation in the brightness of sample SiO2/Si (100) in Scanning electron microscope images. In this study is found that on the sample surface are created objects few nm high. The rest of the work is then devoted to measuring the dependence of the object’s high on different variables. Experiments are generally based on the selective irradiation of the sample surface by scanning electron microscope, measurement of irradiated parts using atomic force microscope and evaluation in the application Gwyddion.
|
|
|
Ostwald ripening – theoretical description and simulation.
Čechal, Tomáš ; Šikola, Tomáš (oponent) ; Čechal, Jan (vedoucí práce)
This thesis deals with Ostwald ripening of three-dimensional clusters deposited on a two-dimensional surface. In the first chapter two distinct theories of Ostwald ripening are presented: the mean-field LSW theory and a many-body theory based on the solution of the diffusion equation in quasistationary approximation. In second chapter the algorithm used for numerical solution of the equations obtained from the many-body theory is described. The results extracted from the numerical solution are compared with predictions of the LSW model in the third chapter. We found that the standard LSW theory of systems with two-dimensional mass transport should not be used in practice because its predictions are in strong disagreement with the results obtained both from the more elaborate diffusion-equation model and from experimental studies described in references. On the other hand, the diffusion equation based model gives results consistent with other theories and experiments.
|
|
|
Příprava kovových nanodrátů elektrochemickou depozicí
Ostřížek, Petr ; Čechal, Jan (oponent) ; Škoda, David (vedoucí práce)
V této práci jsme studovali možnosti přípravy kovových nanodrátů pomocí tzv. templátových metod. Jedná se o depozici struktur přes tvarové masky. Další částí byl návrh jednoduché aparatury pro elektrochemickou depozici nanodrátů přes polykarbonátové membrány. Poslední částí byl pokus o přípravu nanodrátů pomocí tlakové injektáže.
|
host ::
RSS.