|
|
Market survey of high power semiconductor devices
Jankovský, Martin ; Rujbrová, Šárka (oponent) ; Zmrzlá, Petra (vedoucí práce)
The main topic of the work are modern high power semiconductor devices. Emerging wide-band-gap materials and their electrical characteristics are also discussed. The work is then focused on these modern devices, including their basics, application and availability on the market. Furthermore, the work presents the tables of the devices offered by the European leading semiconductor manufacturers.
|
|
|
Light ceramic materials for ballistic protection
Greguš, Peter ; Pouchlý, Václav (oponent) ; Salamon, David (vedoucí práce)
This thesis gives a comprehensive characterization of lightweight non-oxide ceramic materials for ballistic applications, an overview of production technologies and processing of boron carbide B4C and its ceramic-based composites. A framework for evaluating the ballistic resistance of the material based on mechanical properties is shown there. It can be used in experiments without normalized equipment. The experiments including B4C + Si, B4C + Ti composites, and application of Spark plasma sintering (SPS) were designed according to outputs from the theoretical part. The volume fractions of Si, Ti dopants were optimized based on ongoing chemical reactions during sintering. The obtained samples were subjects of mechanical testing which results were compared to identify the ideal ratio of matrix and reinforcement. As the best suited material for ballistic protection, B4C + 1,0 obj. % reaches these values of parameters; hardness = 3502 ± 122 HV1; fracture toughness KIC = 2,97 ± 0,03 MPam^0,5.
|
|
|
Experimentální blokující spínaný zdroj 1200 W/ 150 kHz s polovodiči SiC
Grom, Martin ; Huták, Petr (oponent) ; Vorel, Pavel (vedoucí práce)
Táto diplomová práca sa zaoberá návrhom a realizáciou experimentálneho blokujúceho meniča s využitím neobvyklého zapojenia pre bezstratové obmedzenie napäťového prekmitu na spínacom tranzistore a s využitím súčiastok z karbidu kremíka. Je popísaná problematika využitia blokujúceho meniča na prenos väčšieho výkonu a možné spôsoby riadenia. Ďalej je popísaný návrh silových a riadiacich obvodov, návrh DPS, zostrojenie meniča a namerané priebehy. Záver práce tvorí technická dokumentácia navrhnutej dosky. Navrhnutý menič bol úspešne zostrojený a odskúšaný.
|
|
|
Grafen na SiC jako substrát pro molekulární samouspořádané systémy
Černá, Lenka ; Průša, Stanislav (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací metal-organických sítí samouspořádáním kovových atomů (Fe) a organických molekul (tetrakyanchinodimethan, TCNQ) na povrchu grafenu. Jako substrát byl v této práci pro přípravu samouspořádaných struktur použit krystal SiC (0001) s epitaxní vrstvou grafenu. Depozice metal-organických sítí i následná charakterizace povrchu nízkoenergiovou elektronovou (LEEM), skenovací řádkovací mikroskopií (STM) a rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) byla prováděna v podmínkách ultravysokého vakua.
|
|
|
Magneto optical studies of solid states materials
Solodovnyk, Artur ; Malissa, Hans (oponent) ; Tol, Johan van (oponent) ; Neugebauer, Petr (vedoucí práce)
Electrically detected magnetic resonance (EDMR) is a sensitive and powerful technique for the determination of fundamental intrinsic properties of semiconductive solid-state materials. This work describes the fundamental theory of electron paramagnetic resonance and EDMR spectroscopy, in particular, several models of spin-dependent recombination are reviewed. The instrumental and software parts are presented, as well as the development of a new sample holder specific for EDMR. We intend to bring EDMR investigations to a new level, by developing a setup, which will operate at frequencies up to 1.1 THz and external magnetic field up to 16 T. Taking into account the possibilities of a home-built THz Frequency-Domain Rapid Scan (THz FraScan) spectrometer located in CEITEC BUT, samples will be characterized using both magnetic field and frequency sweeps. Thus, compared to the conventional continuous wave (CW) EDMR, this will allow obtaining not only the dependence of the voltage change on the external magnetic field at a given microwave frequency but also measuring frequency-field maps.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Štekl, Ivan (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
|
|
Grafen na SiC jako substrát pro molekulární samouspořádané systémy
Černá, Lenka ; Průša, Stanislav (oponent) ; Procházka, Pavel (vedoucí práce)
Tato bakalářská práce se zabývá přípravou a charakterizací metal-organických sítí samouspořádáním kovových atomů (Fe) a organických molekul (tetrakyanchinodimethan, TCNQ) na povrchu grafenu. Jako substrát byl v této práci pro přípravu samouspořádaných struktur použit krystal SiC (0001) s epitaxní vrstvou grafenu. Depozice metal-organických sítí i následná charakterizace povrchu nízkoenergiovou elektronovou (LEEM), skenovací řádkovací mikroskopií (STM) a rentgenovou fotoelektronovou spektroskopií (XPS) byla prováděna v podmínkách ultravysokého vakua.
|
|
|
Structure defects in SiC radiation detectors
Zetek, Matyáš ; Belas, Eduard (vedoucí práce)
Silicon karbid je širokopásový polovodič o šířce gapu 2.4 eV - 3.3eV. SiC je dobře znám pro své vlastnosti, které dovolují jeho aplikaci v extrémních podmínkách. Jeho potencionální uplatnění je například vysokofrekvenčních a silnoproudých aplikacích, nebo v místech se silnou radiací či vysokou teplotou. V této práci se zaměřujeme na základní výzkum strukturních defektů, který právě umožní vývoj takovýchto detektorů na bázi SiC. Konkrétně zkoumáme bodové defekty a identifikujeme jimi vytvořené hladiny v zakázaném pásu. K tomuto účelu používáme především Photo-Hall effect spectroscopy (PHES), kterou doplňujeme o měření teplotně závislého Hallova jevu a teplotně závislé fotoluminiscence.
|
|
|
Elektrické a optické vlastnosti SiC monokrystalů
Brynza, Mykola ; Belas, Eduard (vedoucí práce) ; Štekl, Ivan (oponent)
Karbid křemíku (SiC) je polovodič s širokým zakázaným pásem až do 3,2 eV. Aplikace na bázi SiC jsou schopné pracovat v extrémních podmínkách, vysokoteplotních a vysokoenergetických režimech. Tato práce je zaměřena na zkoumání elektrických, optických a spektroskopických vlastností monokrystalického SiC různými metodami včetně Ramanovy spektroskopie, volt-ampérových charakteristik, měření transientních proudů a spektroskopických metod. Také je studována adheze kontaktů a vliv různých materiálů kontaktů na schopnost detekovat ionizující záření za účelem optimalizace technologie přípravy kvalitních radiačních detektorů na bázi SiC.
|
host ::
RSS.