Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"III-V semiconductors"
Hledej:
Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání
Hledej ve sbírkách:
Seřadit podle: Zobrazit výsledky: Výstupní formát:
Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 12 záznamů.  předchozí11 - 12  přejít na záznam: Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Hranově emitující ELD pro pásmo 1,3 ćm "V" typu. ("V" type Edge Light Emitting Diodes /LED/ for the 1.3ćm band)
 Novotný, Jan ; Procházková, Olga
Úplný záznam
Tvorba mikro a nanoporů v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup
 Nohavica, Dušan ; Gladkov, Petar ; Zelinka, Jiří ; Dvořák, Martin ; Pirov, J.
Elektrochemicky lze vytvářet pory take v polovodičích A.sup.3./sup. B.sup.5./sup.. Konkrétně byly v naší laboratoři studovány podmínky přípravy porů v InP, GaAs a GaP. Nejúplnější soubor výsledků byl shromážděn v případě InP, který umožňuje přípravu téměř dokonale samoorganizovaných mikroporů. Byly připraveny i struktury vícenásobné, kombinující krystalografické a proudové pory. Jsou uvedeny i podrobnosti vedoucí k přípravě různě orientovaných krystalografických porů. Roněž v GaAs a GaP existují oba typy porů, ale v jejich pravidelnosti existují specifické rozdíly.
Úplný záznam

Národní úložiště šedé literatury : Nalezeno 12 záznamů.   předchozí11 - 12  přejít na záznam:
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.
Digitální repozitář :: Hledej :: Nový záznam :: Personalizace :: Nápověda
Powered by Invenio v1.1.2
Spravuje admin.invenio@techlib.cz
Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky  English