|
|
V-pit Defects in InGaN/GaN Studied by X-ray Diffraction
Stránská Matějová, Jana ; Holý, Václav (vedoucí práce) ; Dopita, Milan (oponent) ; Rafaja, David (oponent)
V-pit defekty v InGaN/GaN heterostrukturách byly studovány rentgenovou difrakcí s vysokým rozlišením spolu s numerickými simulacemi. Práce se soustředí na roli V-pitů v uvolňování pnutí, na jejich vliv na podobu rentgenových map reciprokého prostoru a na jejich souvislost s dislokacemi. Analýza difúzní složky difraktované intenzity pomocí kinematické teorie rozptylu, spolu s hlavními napětími a jejich směry v okolí V-pitu, vysvětluje, proč laterální pozice InGaN peaku není ovlivněna přítomností V-pitů. Uvol- ňování pnutí pomocí tvorby V-pitů bylo potvrzeno, zatímco plastická relaxace misfit- dislokacemi nebyla pozorována. Hustota V-pitů v epitaxní vrstvě se ukázala být dána obsahem dislokací se šroubovou složkou v substrátu. Čistě hranové dislokace neovlivňují hustotu V-pitů. Koncentrace In má vliv na velikost V-pitů, nikoliv na jejich hustotu. 1
|
|
|
Vibron states in cerium crystalline compounds
Doležal, Petr ; Javorský, Pavel (vedoucí práce) ; Detlefs, Blanka (oponent) ; Rafaja, David (oponent)
Tato práce je zaměřena na studium vibronového stavu v Ce intermetalických sloučeninách. Přítomnost vibronového stavu je důsledkem zvýšené magneto-elastické interakce mezi fonony a 4f elektrony Ce iontu. Magneto-elastická interakce je obvykle slabá a může byt zanedbána. Zde v CeAl2, CePd2Al2, CeCuAl3 a CeAuAl3 je považována za dostatečně silnou, což vede k vytvoření vázaného stavu, nazývaného vibronový stav. Správně určená krystalová struktura těchto sloučenin je nezbytnou prerekvizitou k diskuzi tohoto výjimečného chování. Náš výzkum bude proto proveden v následujících rovinách: Studium krystalové struktury sloučenin (Ce,La)Pd2Al2−xGax a CePt2Al2 pomocí nízkoteplotní a vysokoteplotní rentgenové práškové difrakce; Výzkum objemových a transportních vlastností monokrystalického vzorku sloučeniny CePt2Al2 pomocí měření měrného tepla, magnetizace a elektrického měrného odporu; Analýza symetrií fononových módů a operátorů momentu hybnosti v modelovém Hamiltoniánu, která je založena na teorii grup; V poslední řadě pak na studium fononových disperzních křivek monokrystalů CePd2Al2 a LaPd2Al2 pomocí nepružného rentgenového rozptylu. Všechny tyto výsledky a provedené analýzy vedou k následujícím závěrům: Fáze CePd2Al2 a LaPd2Al2 tají nekongruentně. Nalezli jsme a popsali způsob, jež umožnuje připravit...
|
|
|
Microstructure and Properties of Nanocrystalline Hard Coatings and Thin Film Nanocomposites
Dopita, Milan ; Rafaja, David (vedoucí práce) ; Richter, Frank (oponent) ; Šutta, Pavol (oponent)
Tato práce je věnována studiu mikrostruktury a vlastností M-Al-(Si-)N nanokrystalických tvrdých povlaků a nanokompozitních tenkých vrstev, deponovaných napařováním v katodovém oblouku (CAE), kombinací metod elektronové mikroanalýzy, difrakce rentgenového záření, transmisní elektronové mikroskopie s vysokým rozlišením (TEM / HRTEM) a měřením mikrotvrdosti. Šest sérií vzorků, lišících se typem přechodového kovu (Cr, Ti and Zr) a množstvím Al a Si v závislosti na pozici substrátu vzhledem ke katodám, bylo deponováno CAE procesem v depozičním přístroji π-80 vyrobeném firmou Platit AG. Ve všech studovaných povlacích byly určeny základní mikrostrukturní parametry, jmenovitě chemické a fázové složení, zbytková napětí, preferenční orientace krystalitů, velikost koherentně difraktujících domén a vzájemná desorientace krystalitů. Odvozené mikrostrukturní parametry byly korelovány s mechanickými vlastnostmi vrstev - mikrotvrdostí. Následně byl vytvořen mikrostrukturní model vývoje nanokrystalických tvrdých povlaků a nanokompozitních tenkých vrstev. V závislosti na chemickém složení vzorků existují ve studovaných vrstvách tři oblasti lišící se fázovým složením. Ve vzorcích s nejvyšší koncentrací přechodového kovu existuje pouze jediná - kubická plošně centrovaná (kpc) M1-x-yAlxSiyN fáze. Se vzrůstající...
|
host ::
RSS.