Národní úložiště šedé literatury Nalezeno 4 záznamů.  Hledání trvalo 0.01 vteřin. 
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.
Vliv kovových předmětů na odchylky měřené intenzity elektromagnetického pole ERS generátoru
Major, Jan ; Dřínovský, Jiří (oponent) ; Vídenka, Rostislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce pojednává o vlivu kovových předmětů na odchylky měřené intenzity elektromagnetického pole ERS generátoru. V práci jsou ukázány možnosti modelování šíření a odrazu elektromagnetické vlny od reflektoru nebo od zemní plochy v programu Matlab a Comsol Multiphysic. V textu je změřen vliv kovové odrazné plochy na předcertifikační EMC měření ve volném prostranství s ERS a CNE generátorem. Hlavní náplní mé bakalářské práce je ověřit praktickými měřeními teoretické předpoklady a výsledky simulací.
Vliv kovových předmětů na odchylky měřené intenzity elektromagnetického pole ERS generátoru
Major, Jan ; Dřínovský, Jiří (oponent) ; Vídenka, Rostislav (vedoucí práce)
Bakalářská práce pojednává o vlivu kovových předmětů na odchylky měřené intenzity elektromagnetického pole ERS generátoru. V práci jsou ukázány možnosti modelování šíření a odrazu elektromagnetické vlny od reflektoru nebo od zemní plochy v programu Matlab a Comsol Multiphysic. V textu je změřen vliv kovové odrazné plochy na předcertifikační EMC měření ve volném prostranství s ERS a CNE generátorem. Hlavní náplní mé bakalářské práce je ověřit praktickými měřeními teoretické předpoklady a výsledky simulací.
Počítačové modelování MOSFET tranzistoru
Major, Jan ; Harwot, Ondřej (oponent) ; Pokorný, Michal (vedoucí práce)
Práce je zaměřena na počítačové modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programu COMSOL Multiphysics a v programu TiberCAD. V textu je pojednáno o driftu a difůzi v polovodičích. Také je ukázán způsob modelování PN přechodu a MOSFET tranzistoru v programech a srovnání modelů.

Viz též: podobná jména autorů
6 Major, Jakub
Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.